英伟达与 SK 海力士相关动态

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英伟达 CEO 黄仁勋称,在台积电的帮助下,英伟达最新款 Blackwell AI 芯片的设计缺陷已得到修复,该缺陷此前曾影响生产,其表示 “我们在 Blackwell 有一个设计缺陷,它是功能性的,但设计缺陷导致良品率很低。这 100% 是英伟达的错。” 在最近的高盛会议上,黄仁勋称这些芯片将在第四季度发货,且得到台积电支持后订单已供不应求。

台积电的竞争对手、英伟达供应商之一的 SK 海力士发布三季度财报。SK 海力士三季度利润和收入创历史新高,受到英伟达 AI 芯片需求强劲的驱动,HBM 同比增超 300%。三季度销售 17.57 万亿韩元(分析师预期 18.16 万亿韩元),销售增长受 HBM 和 ESSD 带动。三季度 HBM 销售季环比增超 70%,同比增超 330%;运营利润 7.03 万亿韩元(分析师预期 6.91 万亿韩元);净收入 5.75 万亿韩元(分析师预期 5.22 万亿韩元)。三季度,HBM 在 DRAM 收入的占比达到 30%,预计四季度将达到 40%。三季度毛利润率 52%。预计四季度 DRAM B/G 季环比增速将处于 0%-10% 区间的中部,NAND B/G 季环比增速将处于 10%-19% 区间的低端。由于 M15x 建设的缘故,预计 2025 年 INFRA 资本开支将较上年增长。4 月 24 日,SK 海力士宣布,为应对用于 AI 的半导体需求剧增,决定扩充位于韩国忠清北道清州市 M15X 的 AI 基础设施(Infra)的核心产品即 HBM 等新一代 DRAM 的生产能力。

关键词:英伟达、台积电、SK 海力士

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