Open Source Securities: DDR3 in short supply, price hike trend spreading to niche storage market.

智通財經 APP 獲悉，開源證券發佈研究報告稱，供給方面，據閃德資訊報道，三星、SK 海力士、美光三大原廠全力搶佔 HBM、DDR5 等新興市場，新產能均投入相關新品，逐漸退出 DDR3 市場，利基型 DRAM 產能供給減少。需求方面，近期隨着 AI、網通的需求增加，AI 技術導入後終端產品對 DDR3 有容量升級的需求。2023H2 以來，主流存儲產品價格已明顯回暖，隨着利基型市場供需結構改善，DDR3 等利基型存儲產品有望接力上漲，實現存儲芯片的全品類復甦，板塊景氣度持續提升。

開源證券觀點如下：

上週覆盤：現貨市場流速緩慢，供需雙方博弈激烈

指數方面：據閃存市場數據，2024 年第 11 周存儲市場有所分化，NAND 指數單週提升 0.63%，DRAM 指數單週下降 0.02%，基本持平。價格方面：NANDFlash Wafer 價格持平不變， DDR4 eTT 資源跟隨實際成交價小幅調漲;渠道市場方面，一季度淡季渠道需求平淡，渠道出現少量拋貨現象，而成本端並未下降，因此行情整體變動不大，價格持平不變;行業市場方面，近期行業市場以少量備貨需求為主，整體需求較淡，還有延遲提貨的跡象，本週行業價格持平不變;嵌入式 Flash 方面，由於嵌入式資源供應依然有限，伴隨現貨市場嵌入式產品需求穩固，本週部分嵌入式價格上調：eMCP 和 uMCP 價格全面上漲 ( 周環比 +2.8%/+5.5%)， 部分 eMMC 和 UFS 價格上調 ( 周環比 +1.5%/+1.4%)，嵌入式 LPDDR 價格持平不變。

利基型市場： DDR3 供不應求，Q2 價格有望調漲 20%

供給方面，據閃德資訊報道，三星、SK 海力士、美光三大原廠全力搶佔 HBM、DDR5 等新興市場，新產能均投入相關新品，逐漸退出 DDR3 市場，利基型 DRAM 產能供給減少。需求方面，近期隨着 AI、網通的需求增加，AI 技術導入後終端產品對 DDR3 有容量升級的需求。價格方面，三大原廠已陸續於 2023Q4 起喊漲 DDR3 價格，隨着市場供不應求，華邦也計劃在 2024Q2 跟進漲價，將 DDR3 價格調升 20%，幅度可觀。2023H2 以來，主流存儲產品價格已明顯回暖，隨着利基型市場供需結構改善，DDR3 等利基型存儲產品有望接力上漲，實現存儲芯片的全品類復甦，板塊景氣度持續提升。

大廠近況：開工率逐步提升，中國台廠營收連續多月同比高增

據閃德資訊報道，隨着庫存調整和智能手機市場需求轉好，三星西安工廠稼動率正持續提升，目前已達 70%;與此同時，鎧俠計劃在 3 月內將 NAND 稼動率提升至 90%，大廠近期稼動率調升動作頻繁，反應需求正逐步向好。大廠表現方面，隨着價格逐步回暖，韓國 2 月存儲芯片出口額同環比大幅雙增 (同比 +108%/環比 +14%)，多家中國存儲台廠營收連續多月同比上漲，南亞科技、十銓等企業連續三月同比增長 30% 以上，勢頭良好。

隨着板塊持續復甦，以及 HBM 和 DDR5 等產品的需求增長，相關公司有望充分受益，受益標的：

(1) 存儲芯片：兆易創新 (603986.SH)、普冉股份 (688766.SH)、東芯股份 (688110.SH) 等;(2) 存儲模組：江波龍 (301308.SZ)、德明利 (001309.SZ) 等;(3) 存儲接口：瀾起科技 (688008.SH)、聚辰股份 (688123.SH) 等;

(4) 存儲封測及 HBM 產業鏈：長電科技 (600584.SH)、通富微電 (002156.SZ) 等

風險提示：需求復甦不及預期，行業競爭加劇，公司新品研發進度不及預期。