Samsung has reportedly failed to pass HBM3E memory qualification tests set by Nvidia - WCCFTECH

行業報告現在表明，三星未能通過 NVIDIA 設定的 HBM3E 內存驗證特定階段，可能給這家韓國巨頭製造了障礙。

半導體行業充滿了關於三星電子的報告，這些報告表明，作為高帶寬內存（HBM）市場的領先參與者，三星電子在其 HBM3E 內存產品與 NVIDIA 的驗證階段可能遇到了挑戰。這一潛在障礙可能會對三星作為 NVIDIA 下一代顯卡關鍵供應商的地位產生重大影響，並進一步加劇 HBM 市場的競爭。

三星作為 HBM 領域的創新者聲譽無可置疑。該公司最近在開發具有 12 層 DRAM 的 HBM3E 方面取得的成就使其有望超越目前的市場領導者 SK 海力士和美光。通過保持與 8 層 HBM3E 相同的高度，同時提供更高的層數和更好的性能，預計三星的 HBM3E 產品將在容量和帶寬方面提供顯著提升，超越競爭對手的能力 然而，三星與英偉達合作的 HBM3E 內存驗證過程似乎遇到了困難。儘管三星已經開始開發帶有每秒 2TB 驚人帶寬的 HBM4，但目前尚不清楚公司何時會宣佈 HBM3E 的大規模生產 [1]。相比之下，英偉達首席執行官黃仁勳在最近的 GTC 2024 大會上確認，三星的 HBM3E 正在進行驗證階段 [1]。

與此同時，另一家 HBM 市場的重要參與者 SK 海力士也面臨着其 12 層 HBM3E 產品的工藝問題 [1]。儘管 SK 海力士在 2024 年 3 月開始向英偉達正式供應 8 層 HBM3E，但據報道，其 12 層 HBM3E 目前遇到一些問題。然而，該公司在 GTC 2024 展示了其 12 層 HBM3E，並據稱在 2024 年 2 月早些時候向英偉達提供了樣品 [1]。

這些發展對半導體行業的影響是重大的。HBM 市場的競爭預計將加劇，因為三星和 SK 海力士都在努力解決挑戰，確保其在英偉達和其他領先的顯卡製造商中的關鍵供應商地位 [1] 根據 [1] 報道，三星電子已成為英偉達和 SK 海力士的 HBM3E 供應商