Samsung responds again to Nvidia's HBM3E chip report: Testing is progressing "as planned"

智通财经 APP 获悉，三星 (SSNLF.US) 对有关英伟达 (NVDA.US) 测试其高带宽存储芯片 (HBM) 的媒体报道再度做出了回应，表示测试正在 “按计划” 进行。

三星的一名发言人通过电子邮件表示：“三星电子正在通过与各客户的密切合作优化我们的产品，并按计划进行测试。”

上周有报道称，英伟达已批准三星的 8 层 HBM3E 芯片用于其人工智能处理器。但随后三星回应称，这和事实相距甚远，“我们不能证实与我们客户相关的传闻，但这个报道不是真的”。

HBM 是一种动态随机存取存储器 (DRAM) 标准，通过垂直堆叠芯片以节省空间和降低能耗，是人工智能 GPU 的关键组件，有助于处理复杂应用程序产生的大量数据。 HBM3 是目前新一代人工智能 GPU 中最常用的第四代 HBM 技术标准，HBM3E 芯片则使用第五代 HBM 标准。全球 HBM 芯片市场由 SK 海力士、三星主导，其次是美国芯片制造商美光科技 (MU.US)。

上个月，英伟达首席执行官黄仁勋表示，该公司正在评估美光和三星的 HBM 芯片，以确定它们是否能与 SK 海力士竞争。