Micron: 12-layer HBM3E begins mass production ahead of schedule

受 AI 需求提振，SK 海力士率先量產 12 層 HBM3E。

9 月 26 日週四，SK 海力士宣佈，公司已開始量產 12H（12 層堆疊）HBM3E 芯片，實現了現有 HBM 產品中最大的 36GB 容量；公司將在年內向客户提供該產品。

消息公佈後，SK 海力士股價持續上漲，截至發稿大漲超 8%。

HBM3E 12H 成供應商下半年主要戰場

HBM（高帶寬存儲器）是 GPU 的關鍵組件，有助於處理複雜應用程序產生的大量數據，芯片垂直堆疊技術可以在節省空間的同時降低功耗。

目前，HBM 的主要製造商只有三個——SK 海力士、美光科技和三星電子。其中，三星電子於今年 2 月首次推出了 HBM3E 12H。

考慮到英偉達決定將 HBM3E 12H 納入 Blackwell Ultra 和輕量級型號 B200A，該產品成為下半年 AI 半導體領域的關鍵戰場。

有觀點認為，今年下半年對於確定 HBM 市場的未來格局至關重要。是 SK Hynix 能保持其領先地位、還是三星電子扭轉頹勢，將取決於誰先向英偉達提供 HBM3E 12H。

一位業內人士評論道：

“即使 HBM3E 12H 的價格可能因競爭加劇而略有下降，但下半年顯然是決定 HBM 市場格局的時候了。”

“關鍵是每個企業的良品率（良品率）能夠提高多少。”

有媒體透露，SK 海力士一直是英偉達 HBM 芯片的主要供應商，已於 3 月底向一不具名客户提供了 HBM3E。

儘管需求仍旺盛，但大摩警告供應過剩風險

據介紹，SK 海力士的 HBM3E 12H 堆疊了 12 層 3GB DRAM 芯片，厚度與之前的 8 層產品相同，容量增加了 50%。為了實現這一目標，該公司使每個 DRAM 芯片比以前薄 40%，並使用硅通孔（TSV）技術垂直堆疊。

公告還表示，HBM3E 12H 的內存操作速度已提高至 9.6Gbps，這是業內目前可用的最高內存速度。如果在搭載四個 HBM3E 的 GPU 上運行 Llama 3 70B 大語言模型的話，可以實現每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數的水平。

據媒體此前估算，相比於 8 層堆疊，HBM3E 12H 的 AI 訓練速度平均提高 34%，同時推理服務用户數量也可增加超過 11.5 倍。

此外，公司將通過其核心技術先進 MR-MUF 工藝的應用，使 HBM3E 12H 的散熱性能較上一代提升了 10%，並增強了控制翹曲問題，從而確保穩定性和可靠性。

公司表示，率先量產 12 層 HBM3E，是為了滿足 AI 企業日益增長的需求。SK 海力士總裁兼公司 AI 基礎設施負責人 Justin Kim 表示：

“SK 海力士再次突破了技術限制，展現了我們在 AI 內存領域的行業領先地位。”

“我們將繼續保持全球最大人工智能存儲器供應商的地位，穩步準備下一代存儲器產品，以克服人工智能時代的挑戰。”

不過，此前大摩發佈研報警告“內存凜冬將至”，HBM 供應過剩可能即將上演，DRAM 等也已出現嚴重供需失衡。

大摩預計，到 2025 年，HBM 當前供應鏈中的 “良好” 供應（即高質量且充足的產品）可能會逐漸趕上甚至超過當前被高估的需求量。

在此基礎上，大摩對 SK 海力士進行了 “雙重降評”，在下調評級至 “減持” 的同時，“腰斬” 其目標價，從 26 萬韓元直接下調至 12 萬韓元，導致公司股價當日一度暴跌 11%。