NAND Flash’s Reversal of Fortune Amid the AI Boom

EE Times
2026.01.26 13:28
portai
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NAND 閃存市場因人工智能的興起而經歷重大轉變,三星和 SK 海力士等公司將重點放在高帶寬內存(HBM)上,而非 NAND 生產。隨着對 NAND 閃存的需求因人工智能推理工作負載而激增,Kioxia 和 Sandisk 正從這一趨勢中受益,Kioxia 的 2026 年生產已售罄,並加速其 BICS10 NAND 內存的生產。行業正在經歷命運的逆轉,人工智能應用推動需求,而傳統 NAND 市場面臨挑戰。這種存儲結構失衡預計將持續到 2027 年

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內存行業,長期以來以其超週期性業務而聞名,如今再次面臨十字路口。這一切始於幾年前的人工智能熱潮,使得高帶寬內存(HBM)成為與人工智能加速器一起用於訓練模型的首選設備。HBM 是一種特殊形式的 DRAM,其利潤率遠高於 NAND 閃存,後者的價格下跌和利潤縮減使得像三星和 SK 海力士這樣的大型內存供應商對擴大 NAND 生產能力持謹慎態度。

此外,在技術方面,隨着 NAND 超過 200 層,每一代新產品都需要先進的製造設備和鉅額的資本投資。目前最先進的 NAND 設備層數超過 330 層。因此,儘管大型內存供應商開始將資本投資轉向 HBM 生產,但到 2023 年,NAND 產能已不再是戰略重點。

三星和 SK 海力士將重點轉向以 DRAM 為中心的 HBM 設備,提供更高的盈利能力,而不是建立新的 NAND 生產線。根據 Omdia 的數據,三星將其 2024 年的 NAND 晶圓產量從 490 萬片降低到 2025 年的 468 萬片。同樣,SK 海力士的 NAND 晶圓產量從 2024 年的約 190 萬片下降到 2025 年的 170 萬片。

三星和 SK 海力士尚未宣佈任何 NAND 閃存產能擴張。這兩家公司在 NAND 閃存市場的份額超過 60%。

然而,回顧過去,NAND 閃存在人工智能的整體佈局中也至關重要。例如,將戰略重點從訓練轉向推理工作負載導致了對 NAND 閃存的穩定需求。因此,隨着固態硬盤(SSD)在人工智能數據中心的推理工作負載中被廣泛使用,對 NAND 閃存的需求正在激增。

以 Kioxia 為例,該公司目前與 Nvidia 合作;這家日本 NAND 閃存製造商計劃在 2027 年推出速度幾乎快 100 倍的 SSD。這些 SSD 專為人工智能服務器量身定製,旨在替代 HBM 作為 Nvidia GPU 的內存配對。根據日經新聞,Kioxia 預計到 2029 年,其近一半的 NAND 閃存將用於人工智能應用。

Kioxia 和 Sandisk 的現狀

當三星和 SK 海力士陷入 HBM 困境時,Kioxia 和 Sandisk 又如何呢?這兩家公司不涉及 DRAM 業務,僅生產閃存芯片。這是另一個故事,但並非完全免受 NAND 供應挑戰的影響。

從 Kioxia 開始,該公司於 2017 年從東芝的內存業務中分拆出來。由於對 NAND 閃存在人工智能推理工作負載中的強勁需求,它現在已經走出了動盪的日子。自成立以來,Kioxia 因企業問題和 NAND 閃存設備的殘酷商品化而苦苦掙扎。但隨後,圍繞 NAND 閃存構建的 SSD 的前所未有的需求導致了命運的逆轉。

Kioxia 內存業務部門的董事總經理中田俊介震驚市場,透露公司已售罄 2026 年的全部 NAND 閃存生產量。另一個驚喜是:該公司將在 2026 年提前開始生產 BICS10 NAND 內存。BICS10 是一種 332 層的 3D NAND 陣列,旨在為人工智能和超大規模計算提供高容量存儲解決方案,原定於 2027 年下半年生產。

Sandisk 於 2025 年從西部數據分拆出來,由於持續的 NAND 短缺和高容量 SSD 的價格大幅上漲,也在高歌猛進。與 Kioxia 一樣,持續的 NAND 短缺可能會促使 Sandisk 最終增加其 NAND 產量。

命運的逆轉

內存超級週期在半導體行業中是常見的事情,但這一次,人工智能正在重寫內存遊戲的規則。Nvidia 首席執行官黃仁勳在 2026 年 CES 上呼應了這一觀點,稱存儲是一個 “完全未被服務的市場”。

在 2020 年代初,NAND 閃存市場經歷了殘酷的商品化,2024 年價格跌至 50% 的歷史低點。隨後,人工智能熱潮來臨,NAND 製造商開始從智能手機、平板電腦和筆記本電腦的消費市場轉向提供更健康利潤的新型人工智能服務器。

然而,到那時,NAND 閃存行業已經進入保守的生產模式,這最終使得 Kioxia 和 Sandisk 等 NAND 小型企業嶄露頭角,而將三星和 SK 海力士等內存巨頭置於困境之中。

人工智能以真正的顛覆精神,徹底改變了內存行業,無論是在 DRAM 還是閃存領域。但儘管基於 DRAM 的 HBM 設備在過去幾年中一直處於聚光燈下,但在人工智能集羣中對基於 NAND 的 SSD 的激增需求現在正在顯現出漣漪效應。

普遍認為,存儲中的結構性失衡——涵蓋 DRAM 和 NAND 閃存——可能會持續到 2026 年,甚至可能延續到 2027 年。NAND 閃存製造商如何應對人工智能和消費市場的稀缺將是 2026 年值得關注的故事。


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