Report: Samsung and SK Hynix will convert over 20% of their DRAM production lines to HBM production lines

華爾街見聞
2024.05.14 08:39
portai
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為滿足不斷增長的人工智能應用對高性能芯片的需求,三星和 SK 海力士已轉換超過 20% 的 DRAM 產線為 HBM 產線,預計 2024 年 DRAM 和 HBM 價格將保持堅挺。

據韓國每日經濟報道,全球兩大內存芯片製造商三星電子公司和 SK 海力士公司預測,由於人工智能應用對高性能芯片的需求不斷增長,2024 年 DRAM 和高帶寬內存(HBM)價格將保持堅挺。

為滿足市場需求,他們已將超過 20% 的 DRAM 生產線轉為 HBM 生產線。這一舉措將導致 DRAM 產量減少,而 HBM 芯片的產能增加。

5 月 9 日至 10 日,在由三星證券主辦的投資者關係會議上, SK 海力士首席執行官郭能靜(Kwak Noh-jung)透露,今年和 2025 年 HBM 芯片訂單幾乎售罄,顯示出高 HBM 芯片需求。一位 SK 海力士官員表示,公司已與客户簽訂具約束力的 HBM 芯片供應合同,確保供應量和利潤率穩定。

據悉,八層 HBM3E 芯片佔據主要客户 Nvidia 訂單的大部分。儘管 HBM3 價格下跌,但 HBM3E 價格上漲將抵消這一影響,有望維持利潤率水平。三星電子官員表示,其 HBM 產出已售罄,而 2025 年 HBM 不會出現供過於求的情況。

此外,三星計劃在第二季度開始生產 12 層 HBM3E 芯片,展示其在 HBM3E 市場的領先地位。未來,三星將開發第六代 HBM(HBM4)並於 2026 年量產,採用混合鍵合技術連接 DRAM 的頂部和底部。

三星內部人士表示,DRAM 價格短期不會下跌,而 SSD 的需求增長也是長期趨勢。