After soaring 100%, Micron's "good days" will continue

智通財經獲悉，美光科技 (MU.US) 一直是人工智能熱潮的受益者之一，隨着支出的增加，加上內存市場的廣泛反彈，該股在過去 12 個月裏上漲了近 100%。瑞穗證券表示，美光的好日子可能會繼續，因為該公司可能會在高帶寬內存 (HBM) 領域獲得市場份額。

在與美光公司的首席財務官 Mark Murphy 和首席技術官 Scott DeBoer 會面後，瑞穗認為美光公司正在提升其 HBM3E(高帶寬內存 3E) 產品，其功耗比競爭對手低 30%。這家投資公司表示，在人們對人工智能功耗的擔憂日益加劇之際，這可能會推動美光的股價上漲。

Seeking Alpha 的撰稿人、分析師 Robert Castellano 最近將美光的評級上調至 “買入”，因為該公司有能力向英偉達 (NVDA.US) 推銷其 HBM3E 封裝。HBM3E 是第五代高帶寬內存，瑞穗認為這是美光與韓國 SK 海力士之間的 “2 匹馬競賽”。瑞穗表示，在英偉達不斷增長的需求下，HBM 供應緊張，這對美光來説是個好兆頭。

分析師寫道:“我們認為，潛在的收益率問題是，在一個關鍵供應商處，其 1-alpha HBM3e 的堆疊高度綁定延遲，這將使 MU 和 Hynix 在 B100/B200/GB200 平台上獲得 HBM3e 的份額，從而推動從目前的增加路徑約 5% 上升到 2025 年的約 25%。”

分析師重申了對美光的買入評級，並將目標價從 130 美元調高至 150 美元，因內存價格預估上調。瑞穗表示，今年 2 月開始量產 HBM3E 芯片的美光公司，2024 年和 “2025 年大部分時間” 的高帶寬內存可能已經賣光。由於整個行業仍然 “緊張”，供應可能處於最低水平，從而推高價格。

下一版本的高帶寬存儲器 HBM4 可能最終需要台積電 (TSM.US) 的 cocos - l，因為處理器的堆棧高度標準放寬了。分析人士説，美光正在使用一種名為熱壓縮非導電薄膜的技術，美光認為，與 SK 海力士的產品相比，該技術有助於提高封裝密度、厚度一致性、更快的規格、更小的凸起和更好的堆疊高度間距。

瑞穗的分析師寫道:“我們認為美觀科技可能會在 HBM4 之後看到混合/3D 鍵合進入商業評估階段，可能會在 2027/28 年之後。” 瑞穗分析師表示，這可能有助於 HBM 市場以約 65% 的複合年增長率增長，到 2026 年達到 170 億至 180 億美元。