TechInsights: TSMC's most advanced embedded RRAM chip (22ULL eRRAM) with breakthrough technology has arrived

智通財經
2024.05.20 06:33
portai
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TechInsights 報道，台積電推出了最先進的 22 納米嵌入式 RRAM 芯片，Nordic Semiconductor 的 nRF54L SoC 器件採用了該技術。這是業界首個擁有最先進的 22 納米 CMOS 技術的 RRAM，具有高密度和較寬的位線方向。RRAM 作為一種新興存儲器件，具有取代嵌入式閃存的潛力。

智通財經 APP 獲悉，TechInsights 發文稱，發現了台積電 22ULL 嵌入式 RRAM(阻電存儲器) 芯片，低功耗無線物聯網解決方案的領導者 Nordic Semiconductor 推出的突破性 nRF54L SoC 器件採用了台積電的 22ULL 嵌入式 RRAM (eRRAM)。

TechInsights 拆解了 Fanstel EV- BM 15 EV Kit，找到了 Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15 器件。自 2019 年以來，台積電提供了 40 納米 RRAM 平台，現在的 22 納米 RRAM 是台積電的第二代 eRRAM。這是業界首個擁有最先進的 22 納米 CMOS 技術的 RRAM，可與嵌入式 STT-MRAM 相媲美。

eRRAM 內存塊密度為 17.5 bit/ µm2，位線方向的 RRAM 層寬度為 170 納米。RRAM 存儲層放置在 metal 3 上。ReRAM 使用電阻作為開關的基礎。與 STT-MRAM、FRAM 和 PCM 等其他新興存儲器件一起，ReRAM 是取代嵌入式閃存 (eFlash) 的主要競爭者之一。ReRAM 不受輻射的影響，具有很高的電磁耐受性，並且沒有泄漏問題，因為它不是基於電荷的器件。

圖 1：ReRAM （RRAM）產品和技術路線圖顯示台積電22ULL ReRAM

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