Hyper Track | Samsung Electronics HBM3E passes NVIDIA's test

作者：周源/華爾街見聞

三星電子終於鬆了一口氣。

7 月 18 日，華爾街見聞從供應鏈獨家獲悉，三星電子 HBM3E 已通過英偉達測試。

這是三星電子自今年年初至今，先後四次或成立、或改組既有半導體業務團隊為專門的 HBM 小組，集中力量攻堅 HBM 技術，誓要拿下 “英偉達 AI 加速卡” HBM 供應商資格的重大成果。

7 月 16 日，中國台灣供應鏈有消息稱，三星電子之前要求其合作伙伴撥出與 HBM3E 供應有關的產能準備。集邦諮詢也有消息稱，三星電子供應鏈已轉動起來，有望今年第 3 季度開始向英偉達出貨。

7 月 31 日，三星將舉行財務報告會議。業界預期，三星極有可能在那時會公告通過英偉達 HBM 認證的消息。

三星電子為了通過英偉達測試，也想重新奪回 HBM 技術和市場份額優勢，在 2024 年 1-7 月，先後四次調整半導體業務線，為這項目標開闢道路。

最近一次是在今年 7 月 4 日，三星電子負責半導體業務的設備解決方案（DS）部門做了改組，新設 HBM 研發組。

三星電子副社長、高性能 DRAM 設計專家孫永洙（Son Young-Soo）擔任該研發組組長，帶領團隊集中研發 HBM3、HBM3E 和新一代 HBM4 技術。同時，三星電子還重組了先進封裝（AVP）團隊和設備技術實驗所，以提升整體技術競爭力。

這是繼 5 月全永鉉（Young Hyun Jun）代替慶桂顯（Kyung Kye-hyun）擔任 DS 部門負責人後的又一次大規模組織結構調整。

三星電子 DS 部門，即設備解決方案部門，主要負責存儲、系統、晶圓代工的半導體相關業務。

其中，存儲業務涵蓋 DRAM 內存和 NAND 閃存的開發、製造和戰略營銷；系統 LSI 業務包括系統級芯片設計、製造和銷售；晶圓代工業務為其他公司製造半導體芯片。這個部門在三星電子的半導體業務中扮演着關鍵角色，致力於推動技術創新和業務發展。

全永鉉（Jun Young-hyun）最早於 2000 年加入三星電子的內存芯片業務團隊。2014 至 2017 年期間，全永鉉擔任 DRAM 和內存芯片開發業務負責人。之後，全永鉉轉任三星電池製造商三星 SDI 的首席執行官，負責電池業務。

孫永洙負責的 HBM 小組稱為 “HBM 開發團隊”，取代之前包括 “HBM 產能質量提升團隊” 在內的兩個專門的 HBM 技術團隊，集中技術力量和內部資源攻堅 HBM3E 和 HBM4 的技術開發工作，以此在 HBM 業務範圍內追趕領先者 SK 海力士。

看起來孫永洙的工作卓有成效，在他領導的 “HBM 開發團隊” 成立僅兩週（14 天），或者更早，三星電子 HBM3E 就通過了英偉達技術測試。

值得一提的是，三星電子在 HBM4（第六代）產品中用自家的 4nm 製程工藝製造邏輯芯片。目前，三星電子 4nm 工藝製程的良品率已超 70%。

HBM 的邏輯芯片，即 Logic Die，SK 海力士口徑是基礎裸片 Base Die，美光科技則用接口芯片 Interface Die 概稱。

上圖圖示為美光科技 HBM3E 微觀物理結構圖。

其中，DRAM Die 為 HBM 內存提供內存容量；Interface Die（即 Logic Die）是 DRAM 堆棧的控制單元，也負責通過互連層與處理器的內存接口通信。因此， Logic Die 是 HBM 內存的重要組成部分。

由於 HBM4 的邏輯芯片需要支持更多的信號引腳、更大的數據帶寬和承載部分客户定製功能，因此存儲廠商開始選擇與邏輯晶圓廠合作，用邏輯半導體工藝生產 HBM4 的邏輯芯片。

SK 海力士的 HBM4 邏輯芯片，此前有消息傳出，其將採用台積電 7nm 工藝製程。最近，業界有消息稱，SK 海力士的 HBM4，將用台積電 5nm 工藝製程替換此前的 7nm 工藝。

據美光科技財報顯示，HBM3E 在同一技術節點中生產給定數量，所消耗的晶圓供應量大約是 DDR5 的三倍。因此，三星電子將從 DDR5 產能中調撥約 30% 的比重，專項生產 HBM。但此則消息未獲三星電子官方確認。

儘管如此，業界仍相信這則消息的可靠性。

鑑於三星電子是全球 DRAM 龍頭，市佔率高達 45%，若其調撥 30% 的 DRAM 產能給予 HBM，則會削減約 13% 的 DRAM 全球供應量，故而 DRAM 供應缺口甚至比 HBM 更大，價格也會繼續上揚。