
Will HBM be in surplus next year? Where is the DRAM downturn cycle heading? Goldman Sachs elaborates on the core issues of chip technology

高盛認為,HBM 明年將供不應求,特別是 SK 海力士憑藉其在 AI 內存市場中的領先地位,2025 年之前供需仍將保持緊張;而 DRAM 有望在未來幾個季度內經歷一次中週期庫存調整。
HBM 作為一種用於高性能計算和 AI 應用的關鍵存儲技術,近年來需求量大幅增加。投資者開始擔憂,HBM 可能在 2025 年出現供應過剩,而 DRAM 週期性下行的風險加劇。
針對這種顧慮,高盛在 16 日公佈的最新研報中指出,這種擔憂可能為時尚早。報告強調,全球主要雲計算公司仍在不斷增加對存儲設備的投資,供應過剩的情況不太可能發生。此外,先進封裝技術(如 CoWoS)的發展,以及以及主要客户對 HBM 供應緊張的預期,都將推動 HBM 的需求增長。
同時,供應商的庫存相對健康,DRAM 市場仍有望在未來幾個季度內經歷一次中週期庫存調整。
HBM 市場供不應求,DRAM 週期存爭議
投資者的關注點繼續集中在 HBM 市場上,人們越來越擔心,最早明年就會開始出現供應過剩的情況。
對此,高盛表示,這種情況不太可能發生,主要原因是目前超大規模企業繼續在全球雲計算領域持續支出,CoWoS 產能強勁增長。
報告中還指出,目前主要的 HBM 供應商在提升生產良率方面面臨挑戰,這意味着短期內很難迅速增加供應。
因此,高盛認為 HBM 明年將供不應求,特別是 SK 海力士憑藉其在 AI 內存市場中的領先地位,2025 年之前供需仍將保持緊張,繼續成為投資者的首選。
相比 HBM 市場,DRAM 市場的前景則顯得更加複雜。一部分投資者認為,隨着庫存水平的升高和其他國家供應的增加,DRAM 可能會進入一個較長的下行週期。
但高盛對此持謹慎樂觀態度。認為儘管客户庫存水平較高,但供應商的庫存相對健康,市場仍有望在未來幾個季度內經歷一次中週期庫存調整。
此外,HBM 的強勁需求也可能對 DRAM 市場產生正面影響。因此,雖然短期內市場波動不可避免,但高盛認為 DRAM 市場不會出現大幅度的下行。
三星電子:低估值吸引投資者
作為全球存儲芯片的巨頭之一,三星電子的股價表現近年來受到廣泛關注。
報告指出,儘管三星電子股價近期有所下滑,但其當前的估值水平已接近 1 被市盈率的歷史低位,吸引了眾多投資者的興趣。
大多數投資者認為,三星電子的股價下行空間有限,然而,短期內缺乏明顯的股價上漲催化劑。
投資者特別關注三星電子即將發佈的第三季度財報,期待其中能透露更多關於未來市場走向的信號。
SK 海力士:HBM 市場中的強勁表現
與三星電子相比,SK 海力士的表現則更加受到投資者的青睞。報告指出,SK 海力士憑藉其在 HBM 市場的領先地位,繼續吸引投資者的積極關注。
大多數投資者認為,HBM 市場在 2025 年之前仍將處於供不應求的狀態,這為 SK 海力士帶來了強勁的增長預期。
報告中還提到,SK 海力士的未來增長潛力還來自於其計劃中的 M15X 晶圓廠建設,預計該工廠將在明年完成,這將進一步提升其 HBM 的生產能力。
