The Intel 18A Process Is Finally Ready

Motley Fool
2025.02.22 12:35
portai
I'm PortAI, I can summarize articles.

英特爾宣佈其 Intel 18A 工藝現已準備就緒,這標誌着其在半導體制造方面追趕台積電的重要一步。該工藝引入了新技術,包括 RibbonFET 和 PowerVia,承諾每瓦性能提高 15% 以及芯片密度增加 30%。然而,高產量生產預計要到 2026 年才會逐步提升,初步客户如微軟已排隊等候。儘管如此,英特爾的未來仍然不確定,關於潛在企業變動的傳聞不斷,投資者需要耐心等待財務收益

儘管芯片巨頭 英特爾(INTC -4.68%)面臨着一系列問題,但該公司在半導體制造方面已取得了顯著進展,逐漸趕上 台積電。英特爾在其嚴重延遲的 10 納米工藝上停滯了很長時間,這導致了產品方面的各種問題。英特爾 4 和英特爾 3 工藝節點分別用於 Meteor Lake PC CPU 和最新一代 Xeon 服務器 CPU,都是英特爾的重要升級。

英特爾之前取消了英特爾 20A 工藝,該工藝本應成為開發重要新技術的墊腳石。對於最新的 PC 芯片,英特爾轉向了台積電,而不是使用英特爾 20A 工藝,因為它將資源重新分配給英特爾 18A。英特爾 18A 工藝是公司原始代工路線圖中的最後一個節點,旨在使英特爾在性能和效率上與台積電持平。

英特爾 18A 已到來

根據英特爾網站上的一頁信息,英特爾 18A 工藝現在已準備就緒。理解這裏的 “準備就緒” 非常重要。該工藝的開發已完成,但芯片開始在英特爾工廠大規模生產仍需時間。英特爾指出,代工客户的首次流片將在今年上半年開始。流片是設計過程的最後階段,下一步是製造。

英特爾 18A 工藝具有兩個特性,將推動與英特爾 3 相比的性能和效率提升。首先,英特爾 18A 採用了一種新的晶體管設計,稱為 RibbonFET,取代了 2011 年引入的 FinFET 架構。轉向 RibbonFET 將提高每瓦特的性能並減少功耗泄漏,以及其他好處。

其次,英特爾 18A 是任何代工廠首個支持背面供電的工藝。英特爾的這種技術稱為 PowerVia,將某些組件移至芯片的背面,以提高電力分配的效率。僅 PowerVia 就將帶來顯著的性能提升。

英特爾聲稱,英特爾 18A 在每瓦特性能上比英特爾 3 提高了 15%,芯片密度提高了 30%。英特爾 18A 與台積電頂級工藝節點的比較仍然是一個懸而未決的問題,但至少,英特爾 18A 應該能顯著縮小差距。

有意義的收入還需時日

在 2026 年之前,不要指望英特爾 18A 能帶來太多外部代工收入。英特爾之前表示,提升到大規模生產的過程將延續到明年。該公司已經為英特爾 18A 安排了一些大客户,包括 微軟,但英特爾需要時間來建立產能。

英特爾下一代筆記本 CPU 系列 Panther Lake 可能會作為英特爾 18A 工藝在高容量產品中的首次亮相。該公司計劃在年底前發貨 Panther Lake,預計到 2026 年產量將逐步增加。到 2026 年晚些時候,英特爾計劃將英特爾 18A 工藝用於其 Clearwater Forest 服務器 CPU。

隨着英特爾 18A 準備投入生產,英特爾現在需要尋找更多客户,並用新訂單填補其計劃的生產能力。這涉及到在英特爾未來仍然不確定的情況下贏得芯片設計師的信任。關於潛在分拆、收購和合並的傳聞為潛在客户創造了複雜的局面。

如果英特爾 18A 工藝能夠兑現公司的承諾,並在性能和效率上與台積電相匹配,這將標誌着製造業務的驚人轉變。然而,這一成就可能要到 2026 年才能惠及英特爾的財務業績。英特爾的投資者需要保持耐心。