Infineon launches CoolSiC MOSFETs 1200V G2 in Q-DPAK package

英飛凌 (ADR) 推出了 CoolSiC MOSFETs 1200V G2，採用 Q-DPAK 封裝，專為電動汽車充電器和太陽能逆變器等高性能工業應用設計。這款新設備提供了優化的熱性能、系統效率和功率密度，開關損耗降低了多達 25%，並改善了熱阻。Q-DPAK 封裝提供單開關和雙半橋配置，增強了散熱性能，支持緊湊設計，簡化了先進電力系統的開發。CoolSiC MOSFET 1200V G2 現已向客户提供

新聞：微電子

英飛凌推出 CoolSiC MOSFETs 1200V G2 Q-DPAK 封裝

德國慕尼黑的英飛凌科技公司推出了 CoolSiC MOSFETs 1200V G2，採用頂側冷卻（TSC）Q-DPAK 封裝。新設備據稱提供了優化的熱性能、系統效率和功率密度，專為需要高性能和可靠性的苛刻工業應用而設計，如電動車充電器、太陽能逆變器、不間斷電源、馬達驅動和固態斷路器。

新的 CoolSiC 1200V G2 技術相比於前一代產品有顯著改進，使得等效 RDS(on) 器件的開關損耗降低多達 25%，系統效率提高最多 0.1%。利用英飛凌改進的.XT 芯片連接技術，G2 器件的熱阻降低超過 15%，MOSFET 温度相比 G1 系列產品降低 11%。RDS(on) 值範圍從 4mΩ到 78mΩ，加上廣泛的產品組合，使設計師能夠靈活優化其目標應用的系統性能。此外，新技術支持在結温（Tvj）高達 200°C 的過載操作，並具有對寄生開啓的高魯棒性，確保在動態和苛刻條件下的可靠運行。

圖片：CoolSiC MOSFETs 1200V G2 在頂側冷卻的 Q-DPAK 封裝中。

CoolSiC MOSFETs 1200V G2 提供兩種 Q-DPAK 配置：單開關和雙半橋。兩種變體都是英飛凌更廣泛的 X-DPAK 頂側冷卻平台的一部分。所有 TSC 變體（包括 Q-DPAK 和 TOLT）具有標準化的封裝高度 2.3mm，該平台提供設計靈活性，使客户能夠在單個散熱器組件下擴展和組合不同的產品。這種設計靈活性簡化了先進電力系統的開發，使客户更容易定製和擴展其解決方案。

Q-DPAK 封裝通過使設備的頂部表面直接散熱到散熱器來增強熱性能。這種直接熱路徑提供的熱傳導效率顯著優於傳統的底側冷卻封裝，從而實現更緊湊的設計。此外，Q-DPAK 封裝佈局設計允許最小化寄生電感，這對更高的開關速度至關重要。這增強了系統效率並降低了電壓過沖風險。該封裝的小型佔地面積支持緊湊的系統設計，同時與自動化組裝過程的兼容性簡化了製造，確保了成本效率和可擴展性。

CoolSiC MOSFET 1200V G2 的 Q-DPAK 單開關和雙半橋封裝變體現已上市。

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