Infineon and ROHM collaborating on silicon carbide power electronics packages

英飛凌科技股份公司與羅姆株式會社簽署了一份諒解備忘錄，旨在合作開發碳化硅（SiC）功率半導體封裝。此次合作旨在通過允許客户從兩家公司採購，增強設計和採購的靈活性。該合作將利用英飛凌的頂側冷卻平台和羅姆的 DOT-247 封裝，提高功率密度並降低成本。未來的擴展可能包括更多的封裝和技術，進一步增強客户在節能應用中的選擇

新聞：微電子

英飛凌與羅姆合作開發碳化硅功率電子封裝

德國慕尼黑的英飛凌科技股份公司與日本京都的羅姆株式會社簽署了一份諒解備忘錄，合作開發用於車載充電器、光伏、能源存儲系統和人工智能數據中心等應用的碳化硅（SiC）功率半導體封裝。具體而言，雙方旨在使彼此成為 SiC 功率器件選定封裝的第二來源，從而提高客户的設計和採購靈活性。未來，客户將能夠從英飛凌和羅姆兩家公司採購具有兼容外殼的器件。這一合作將確保無縫兼容和可互換，以滿足特定客户需求。

“我們的合作將為客户提供更廣泛的選擇和更大的設計與採購靈活性，使他們能夠開發出更高能效的應用，進一步推動脱碳進程，” 英飛凌綠色工業電力部門總裁彼得·瓦爾維爾博士表示。

“通過合作，我們可以推動創新，減少複雜性，提高客户滿意度，最終塑造功率電子行業的未來，” 羅姆功率器件業務董事會成員兼執行官井野和秀博士表示。

圖片：左：英飛凌綠色工業電力部門總裁彼得·瓦爾維爾博士；右：羅姆功率器件業務董事會成員兼執行官井野和秀博士。

根據協議，羅姆將採用英飛凌的碳化硅頂側冷卻平台，包括 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK 雙重和 H-DPAK 封裝。英飛凌的頂側冷卻平台提供多個優勢，包括所有封裝標準高度為 2.3mm。這有助於設計並降低冷卻系統成本，同時還提高了電路板空間利用率，功率密度可提高至兩倍。

與此同時，英飛凌將採用羅姆的 DOT-247 封裝，採用 SiC 半橋配置，以開發兼容封裝。這將擴展英飛凌最近宣佈的雙 TO-247 IGBT 產品組合，以包括 SiC 半橋解決方案。羅姆的 DOT-247 相比標準分立封裝提供更高的功率密度，並減少組裝工作。其獨特結構集成了兩個 TO-247 封裝，使熱阻降低約 15%，電感降低 50%。這些優勢使其功率密度比 TO-247 高出 2.3 倍。

英飛凌與羅姆計劃在未來擴大合作，涵蓋其他硅基和寬禁帶功率技術的封裝，如 SiC 和氮化鎵（GaN）。這預計將進一步加強兩家公司之間的關係，併為客户提供更廣泛的解決方案和採購選擇。

基於 SiC 的半導體通過更高效地切換電力，提高了高功率應用的性能，確保在極端條件下的高可靠性和穩健性，同時允許更小的設計。使用英飛凌和羅姆的 SiC 產品，客户可以開發出高能效的解決方案，並提高電動汽車充電、可再生能源系統和人工智能數據中心等應用的功率密度。

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