SK Hynix internal analysis exposed: DRAM shortages will continue until 2028!

一份 SK 海力士內部分析文件意外曝光，揭示了全球存儲芯片市場面臨的嚴峻供需失衡。該文件顯示，除 HBM 和 SOCAMM 外，標準 DRAM 的供應緊張將持續到 2028 年，這一預測比瑞銀此前預計的 2027 年一季度更為嚴峻。

據社交平台 X 用户 @BullsLab 上週分享的截圖，SK 海力士認為標準 DRAM 的產能增長將受到嚴重製約。供應商庫存正被消耗至最低水平，而生產產能相比以往上升週期預計增長有限。

人工智能需求激增成為推動這輪"超級週期"的核心動力。SK 海力士預計，AI 服務器市場份額將從 2025 年的 38% 飆升至 2030 年的 53%，帶動 DRAM 需求實現 24% 的強勁增長。

這一供需格局將對全球科技產業鏈產生深遠影響。據華爾街見聞此前文章，瑞銀預測今年四季度 DDR 合約價將環比上漲 35%，2026 年一季度將進一步上漲 30%。蘋果等科技巨頭也將面臨成本壓力，其與三星、SK 海力士的長期供應協議將於 2026 年 1 月到期。

供應端：產能擴張週期漫長，難解燃眉之急

SK 海力士內部分析指出，標準 DRAM 供應受限的根本原因在於產能擴張週期漫長。新 DRAM 工廠從建設到正常運營需要數年時間，預計新增產能要到 2028 年才能釋放。

即便利用現有廠房進行技術轉換也面臨挑戰。無論是 DDR4 停產轉向 DDR5，還是 NAND 製程轉換為 DRAM 生產，都需要相當長的調整週期。這使得短期內通過產能調配緩解供需矛盾變得困難。

與此同時，供應商庫存水平正急劇下降。SK 海力士財務擔當副社長金祐賢在上季財報電話會議上透露，"明年不僅 HBM，包括 DRAM、NAND 產能均已售罄，甚至有客户提前購買了 2026 年的傳統存儲芯片。"

需求端：AI 驅動存儲"超級週期"

人工智能應用爆發式增長正重塑存儲芯片需求格局。SK 海力士預計，AI 服務器份額將從 2025 年的 38% 躍升至 2030 年的 53%，推動服務器 DRAM 需求實現 24% 的增長。

PC 市場同樣受到 AI 浪潮影響。儘管 2026 年 PC 整體出貨量預計與 2025 年持平，但 AI PC 在總量中的佔比將從 38% 擴大至 55%，顯著提升單機 DRAM 容量需求。

NAND Flash 市場也迎來增長機遇。SK 海力士預計，服務器 eSSD 需求預計同比增長 36%，整體 NAND 需求增長 18%。存儲原廠將主要投資集中在服務器 DRAM 和 HBM 上，導致 NAND 供應相對短缺，價格面臨持續上漲壓力。

漲價週期或超預期？

瑞銀此前預測，今年四季度 DDR 合約價將環比上漲 35%，NAND Flash 合約價上漲 20%。2026 年一季度 DDR 合約價將進一步上漲 30%，NAND 價格繼續上漲 20%。

SK 海力士的內部分析顯示供應緊張將持續至 2028 年，比瑞銀預計的 2027 年一季度更為嚴峻。這意味着存儲芯片漲價週期可能超出市場預期。

科技巨頭也將承受成本壓力。蘋果與三星、SK 海力士的長期供應協議被曝將於 2026 年 1 月到期，兩家韓國廠商計劃從明年 1 月開始提高對蘋果的存儲芯片供應價格。

面對供需嚴重失衡，SK 海力士正積極擴充產能。專注於 HBM 生產的 M15X 工廠已完成兩年建設，將提前開業並於明年開始全面量產。

該公司還在建設包括 M15X 和計劃於 2027 年上半年開工的龍仁晶圓廠在內的先進生產基礎設施，以確保"晶圓廠空間"和"產能"滿足 AI 存儲日益增長的需求。

不過，考慮到半導體產能建設的長週期特性，這些新增產能能否及時緩解當前供需緊張局面仍存在不確定性。投資者需密切關注存儲芯片價格走勢及其對下游產業鏈的傳導效應。