Japan forms a group to develop storage, aiming to eliminate HBM

據《日經新聞》報道，富士通將加入由日本科技投資者軟銀集團牽頭的項目，共同開發用於人工智能和超級計算機的下一代存儲器。日本希望藉此重振其曾經的存儲器生產技術，使其公司成為世界頂級存儲器生產商之一。

軟銀新成立的 Saimemory 公司將作為該公私合作項目的指揮中心，與富士通和其他合作伙伴進行協調。

Saimemory 致力於開發高性能存儲器，以替代目前通過堆疊 DRAM 芯片實現高帶寬存儲器 (HBM) 的高帶寬存儲器。該項目計劃在 2027 財年前投資 80 億日元（約合 5120 萬美元）完成原型機的研發，併力爭在 2029 財年前建立量產體系。

軟銀將在 2027 財年之前向 Saimemory 公司注資 30 億日元。富士通和日本理研國家科學研究所將共同出資約 10 億日元。預計日本政府也將通過支持下一代半導體研發的項目補貼部分費用。

富士通曾是日本一度世界領先的半導體產業的關鍵參與者。儘管這家日本科技集團已退出存儲器生產領域，但它在大規模生產和質量控制方面擁有豐富的專業知識。

富士通持續研發節能型中央處理器，並與客户保持着緊密的合作關係。日本頂級超級計算機 “富嶽” 就採用了富士通的產品。

Saimemory 的目標是量產存儲容量是 HBM 兩到三倍、功耗僅為 HBM 一半的內存，價格與 HBM 持平甚至更低。該公司將採用英特爾和東京大學聯合開發的半導體技術，並與新光電氣工業株式會社和台灣力芯半導體制造股份有限公司合作進行生產和原型製作。

英特爾將提供底層堆疊技術，該技術是在美國國防高級研究計劃局（DARPA）的支持下開發的。其關鍵特性在於，負責電源、計算和內存等功能的芯片採用垂直堆疊而非水平排列，從而增加了單個設備上可容納的內存芯片數量，同時縮短了數據傳輸距離。

本項目還將採用東京大學等機構開發的有助於散熱和流暢數據傳輸的技術。

Saimemory 將專注於知識產權管理和芯片設計，並將生產外包給外部公司。

隨着生成式人工智能的普及，預計到 2030 年，日本所需的計算能力將比 2020 年增長 300 多倍。但日本半導體元件的自給率較低，導致供應不穩定和價格上漲等風險。

韓國企業佔據了全球 HBM 市場約 90% 的份額。隨着全球數據中心的蓬勃發展，高性能內存市場已被少數國家和企業所主導。

2000 年前後，日本企業相繼退出存儲器製造領域。1999 年後，由於存儲器商品化和由此產生的激烈價格競爭，富士通在重組過程中逐漸停止了內部生產。

人工智能的出現或許正在改變行業格局。軟銀正着手建設自己的大型數據中心，而富士通則在研發用於數據中心和通信基礎設施的 CPU，目標是在 2027 年實現實際應用。

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