SK Hynix's $13B packaging facility promises more HBM for the AI bubble

內存製造商無法快速生產出足夠的 DRAM。在人工智能驅動的短缺之後，SK 海力士於週二宣佈將在韓國投資 19 萬億韓元（約合 130 億美元）建設一座先進的封裝和測試設施，這可能會帶來一些緩解——但對筆記本電腦和手機等消費產品的幫助有限。

這家韓國內存巨頭揭曉了新址，名為 P&T7，將位於韓國忠北的清州科技城工業園區。工廠的建設預計將於 4 月開始，目標是在 2027 年底前完成。

該場地旨在應對對高帶寬內存（HBM）模塊的激增需求，這些模塊在數據中心 GPU 和人工智能加速器中被廣泛使用。SK 預計，2025 年至 2030 年間，HBM 的需求將以每年平均 33% 的速度增長，這在很大程度上是由於對人工智能基礎設施的極大需求。

HBM 通過堆疊多個 DRAM 層製造而成——八層和十二層是最常見的——以實現更高的容量和帶寬，同時降低能耗。

這一過程極其昂貴，因為任何層中的單個缺陷都可能使最終模塊變得毫無價值。更糟的是，由於 HBM 的極高數據傳輸速率——在最新一代中每個模塊高達 2.75 TB/s——這些芯片通常需要與計算邏輯永久共封裝。這使得利潤空間極其緊張。缺陷模塊可能會導致價值 50,000 美元的 GPU 報廢。

因此，像 SK 新宣佈的 P&T7 場地這樣的專業封裝和測試設施對於大規模生產 HBM 至關重要。

P&T7 設施的開發正值 SK 海力士準備啓動其 M15X DRAM 工廠之際。該工廠於 2024 年宣佈，投資 20 萬億韓元（約合 135 億美元），旨在滿足日益增長的 HBM 需求。它的潔淨室於 10 月開放，SK 表示，部署生產設備的工作進展順利。

雖然新的封裝場地對 AMD 或 Nvidia 等 HBM 內存的主要消費者來説可能是個好消息，但該封裝場地可能對過去幾個月消費者和企業所經歷的內存價格飆升幾乎沒有幫助。儘管 HBM 過去曾出現在消費產品中，但其極高的成本和複雜性通常使其無法在現代客户端設備中使用。

一年前售價低於 100 美元的 DDR5 內存套件現在的價格已超過 300 美元，供應商們正在應對持續的 DRAM 和 NAND 短缺。

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正如我們之前報道的，DRAM 價格預計將在未來幾年保持高位，部分原因是對人工智能基礎設施的強勁需求。分析師預測，DRAM 價格將在今年晚些時候達到峯值，然後在 2027 年趨於平穩，並在 2028 年再次上漲。

儘管客户支付高價，內存供應商卻賺取了數十億美元的收入。上週，三星發佈了修訂後的第四季度預測，預計其營業利潤將增長三倍，而美光和 SK 海力士的利潤預計將翻倍。®