美光警告：AI 引发的存储芯片短缺 “前所未有”，将持续到 2026 年以后

美光科技指出，人工智能基礎設施對高端半導體的需求激增，正引發一場 “史無前例” 的內存芯片短缺。該公司警告，這一供應緊張局面在過去季度持續加劇，並將延續至 2026 年之後。

美光運營執行副總裁 Manish Bhatia 表示，AI 加速器所需的高帶寬內存（HBM）“消耗了行業絕大部分可用產能，導致手機、個人電腦等傳統領域面臨嚴重短缺”。

芯片短缺已產生連鎖反應。據界面報道，由於內存成本上漲，小米、Oppo 及傳音控股等主要手機制造商已下調 2026 年出貨目標，其中 Oppo 預測降幅高達 20%。行業機構 Counterpoint Research 此前估計，因存儲芯片成本上升與產能擠壓，2026 年全球智能手機出貨量可能下降 2.1%。

影響範圍正持續擴大，戴爾等個人電腦製造商也已預警可能受短缺衝擊。與此同時，消費電子、自動駕駛及人形機器人等領域對存儲芯片的需求仍在攀升，多家廠商已開始爭奪 2026 年之後的產能供應。

AI 需求重塑供應格局

全球三大內存芯片巨頭美光、SK 海力士與三星電子股價在 2025 年因 AI 需求爆發而大幅上漲。SK 海力士透露，公司 2026 年的芯片產能已全部售罄；美光也表示，其面向 AI 的高端內存產品在今年內已被預訂一空。過去一年，美光股價漲超 231.6%。

為優先保障英偉達等戰略客户的供應，美光於去年 12 月宣佈將終止旗下廣受歡迎的消費級內存品牌 Crucial 的業務。DRAM 作為構建高帶寬內存（HBM）的核心，為英偉達、英特爾等公司的先進處理器提供關鍵的運算環境，是確保 AI 加速器高效運行的重要基礎。

加速擴張產能

AI 行業對內存芯片的巨大需求，正加速美光在美國與亞洲的產能擴張進程。週六，美光宣佈計劃斥資 18 億美元收購中國台灣一處現有工廠的廠址，該地區是這家總部位於愛達荷州博伊西的芯片製造商的關鍵生產基地。

此舉將顯著縮短新工廠的建設週期。公司預計將於 2027 年下半年實現大規模 DRAM 晶圓產出。美光運營執行副總裁 Manish Bhatia 在週五的採訪中指出，

“我們在亞洲的廠址將繼續向下一代技術演進，而新增的晶圓產能則將主要集中於美國本土。”

目前，美光正推進多項大型建廠計劃：其在紐約州錫拉丘茲附近斥資 1000 億美元的項目將建設四座 DRAM 晶圓廠，每座規模約相當於十個足球場，首批晶圓計劃於 2030 年下線。同時，公司正在博伊西的現有研發設施旁擴建兩座晶圓廠，其中首座愛達荷工廠預計 2027 年投產，第二座已在規劃中。此外，弗吉尼亞州的現有製造設施也在進行現代化改造與產能提升。

這些投資是美光承諾將 40% 的 DRAM 製造轉移至美國本土的重要組成，該目標得到了 2024 年獲得的 62 億美元《芯片法案》撥款支持，同時在建設期間還可享受 35% 的税收抵免優惠。