South Korean media reports that "Samsung and SK Hynix are expected to continue reducing NAND flash production this year in pursuit of profit maximization."

儘管人工智能驅動的需求正在激增，韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子和 SK 海力士今年將繼續削減 NAND 閃存產量。這一供應策略預計將推動 NAND 價格在服務器、PC 和移動設備等各個領域持續上漲，為兩家公司帶來與 DRAM 相當的利潤率提升。

週二，據韓國《朝鮮日報》援引市場研究機構 Omdia 數據報道，三星電子今年 NAND 晶圓產量將從去年的 490 萬片降至 468 萬片，甚至低於 2024 年因盈利能力惡化而實施的減產水平。SK 海力士的 NAND 產量也將從去年約 190 萬片降至今年的 170 萬片。兩家公司合計佔據全球 NAND 閃存市場超過 60% 的份額。

這一減產決策正值英偉達等公司引領的推理 AI 競爭加劇之際。據花旗數據，英偉達將於今年下半年量產的下一代 AI 加速器"Vera Rubin"的固態硬盤容量達 1152TB，是現有"Blackwell"的 10 倍以上。預計該產品今年出貨量為 3 萬台，明年將達 10 萬台，這將在 2026 年和 2027 年分別創造 3460 萬 TB 和 1.152 億 TB 的新增需求。

值得一提的是，由 AI 熱潮驅動的全球存儲芯片超級週期已轉化為歷史性利潤，三星電子和 SK 海力士正在發放多年來規模最大的績效獎金。三星電子半導體部門 Device Solutions 已確認，符合條件的員工本月將獲得相當於基本年薪 47% 的獎金 SK 海力士分紅和獎金力度更為激進，平均獎金預計將超過 1.4 億韓元，創下歷史新高。

資本支出轉向高利潤 DRAM

業內普遍認為，三星電子和 SK 海力士削減 NAND 產量反映出資本支出優先級已轉向盈利能力最高的 DRAM。

此外，隨着 AI 數據中心對高容量 SSD 的需求增長，從現有三層單元技術向更適合 AI 數據中心的四層單元技術轉換過程中，不可避免地會出現自然產量損失。這一轉換涉及設備安裝、穩定期和初期生產良率等多重因素。

據報道，三星電子和 SK 海力士的高管認為沒有理由急於增加 NAND 產量。一位半導體行業人士表示，目前尚不清楚三星電子和 SK 海力士的 NAND 減產是有意為之還是自然結果，但無論如何，減產帶來的收益在今年將達到最大。

價格預期全面上漲

主要市場研究機構預計 NAND 價格將從今年第一季度開始全面上漲，並密切關注關鍵供應商的供應調整。

TrendForce 預計第一季度 NAND 閃存合約價格將較上季度上漲 33% 至 38%，並指出三星電子、SK 海力士等公司正維持保守的 NAND 生產立場。IDC 也預測今年 NAND 供應增長率將在 17% 左右，低於近年來的平均水平。

分析師表示，鑑於今年 NAND 市場在 AI 推動下需求激增，主要供應商三星電子和 SK 海力士的供應控制可能加深 AI 服務器以及移動設備、PC 等各領域的短缺。對於 NAND 業務，兩家公司長期以來盈利能力惡化，不得不專注於價格防禦，如今可以利用這輪存儲芯片超級週期儘可能實現利潤最大化。

三星電子和 SK 海力士正在發放多年來規模最大的績效獎金，標誌着由人工智能熱潮驅動的全球存儲芯片超級週期已轉化為歷史性利潤。這兩家韓國芯片巨頭的大手筆分紅直接反映了高帶寬存儲器 (HBM) 等 AI 芯片需求激增帶來的盈利能力顯著提升。

三星電子半導體部門 Device Solutions 已確認，符合條件的員工本月將獲得相當於基本年薪 47% 的獎金。這一比例接近三星內部 50% 的上限，與 2023 年該部門因芯片市場低迷而獎金率為零形成鮮明對比，凸顯出行業復甦的力度。

SK 海力士的分紅力度更為激進，該公司取消了長期實行的 10 個月基本工資上限，改為將營業利潤的 10% 用於今年的利潤分享計劃。基於預計 45 萬億韓元的全年營業利潤和 33000 名員工，平均獎金預計將超過 1.4 億韓元，創下歷史新高。

這些創紀錄的獎金髮放正值兩家公司將產能大規模轉向 HBM 生產之際。由於 HBM 消耗的晶圓產能約為標準 DRAM 的三倍，這一轉型導致 DDR5 等通用存儲器供應緊張，推動整體價格上漲，為芯片製造商帶來了雙重利潤增長動力。