The huge profits of SK Hynix and Samsung are opportunities for Chinese memory companies

存儲芯片價格飆升為三星電子和 SK 海力士帶來了豐厚利潤，但這場持續的供應短缺正為中國存儲製造商打開市場窗口。業內專家警告，如果供需失衡持續到 2027 年上半年甚至更久，韓國企業的暴利時代可能反而成為中國競爭對手縮小技術差距的黃金機遇期。

據 DIGITIMES 週二報道，在韓國近期舉辦的下一代半導體技術趨勢研討會上，成均館大學教授 Seok-jun Kwon 指出，存儲行業正經歷超級週期，DRAM 價格在短短几個月內飆升 300-400%。然而三星、SK 海力士和美光無法滿足全球需求，這為中國存儲製造商創造了進入市場的機會。

Kwon 強調，中國企業的擴張潛力不僅限於消費零售領域，還包括企業級市場。即使只佔據 5-10% 的市場份額，也足以為其未來增長積累動能。

中國企業若能在這一窗口期獲得更多技術經驗，將對全球存儲芯片格局產生深遠影響。

技術追趕速度超預期

中國存儲製造商正以驚人速度追趕韓國領先企業。2025 年初，當 SK 海力士供應第三代高帶寬內存 (HBM3E) 芯片時，長鑫存儲科技 (CXMT) 仍在開發 HBM2 技術，但到 2025 年年中就有報道稱其已躍進至 HBM3 開發階段。

Kwon 指出，CXMT 的加速進展不僅源於自身資金，還得益於地方政府和華為的投資。新技術測試不僅在 CXMT 自有工廠進行，還經常在華為投資的廣東和上海工廠開展，使公司能在內部擴大生產前識別可行方案。這種模式讓 CXMT 縮短了研發週期，快速實現技術創新的商業化。

市場窗口期的戰略意義

對中國企業而言，當前的市場機遇具有雙重價值。一方面，全球供應緊張降低了客户對技術代差的敏感度，為相對落後的產品創造了市場空間。另一方面，持續的高價格環境為中國企業提供了充足的利潤空間來支撐技術研發投入。

Kwon 警告稱，如果供應短缺持續到 2027 年上半年或更晚，實際上給了中國製造商更多時間來獲取技術專長。韓國企業面臨的真正風險在於，如果未能將當前的暴利轉化為更高的技術壁壘，一旦市場開始降温，中國競爭對手可能侵蝕其優勢地位。

AI 時代的技術分水嶺

領先存儲企業必須適應 AI 時代才能保持地位。AI 性能瓶頸已從核心計算能力轉向存儲，功耗尤其將決定存儲製造商能否進入邊緣 AI 市場。儘管 HBM 目前仍是主導技術，但其結構性侷限意味着替代方案將不可避免地出現。

據 Kwon 介紹，一個關鍵趨勢是 SRAM 使用增加：儘管成本更高、佔用空間更大，但其超低延遲使其在某些 AI 模型中比傳統 DRAM 更具吸引力。未來技術進步將聚焦於硅通孔 (TSV) 密度、縮短存儲器與核心之間的距離，以及開發超越硅中介層的新型互連技術。