Report: NVIDIA may relax HBM4 specification requirements due to capacity and yield constraints faced by Samsung and SK Hynix

全球 AI 算力霸主英偉達正面臨供應鏈現實的嚴峻考驗。在下一代 AI 加速器量產時間表逼近之際，由於主要存儲芯片供應商在產能擴張和良率提升上遭遇雙重阻力，英偉達可能被迫調整其採購策略，放寬對第四代高帶寬內存（HBM4）的技術規格要求，優先確保供應穩定性而非極致性能。

據 ZDNet 報道，儘管三星電子近期宣佈 HBM4 即將量產出貨，在進度上略微領先於競爭對手 SK 海力士和美光，但整體市場供應動態仍取決於英偉達的最終採購決策。目前的跡象表明，即使是行業領先者，要在滿足英偉達設定的 11.7Gbps 最高規格的同時保證大規模供貨，仍面臨巨大挑戰。

這一潛在策略調整反映了當前半導體供應鏈的緊張局勢。如果英偉達堅持最高性能標準，其下一代代號為 Rubin 的 AI 芯片量產可能因關鍵零部件短缺而受阻。市場目前普遍預期，英偉達將採取更為務實的做法，即在採購最高規格 HBM4 的同時，並行採購略低規格的版本，以平衡性能需求與供應鏈安全。

這一轉變對投資者而言至關重要，它不僅關係到英偉達新品的上市節奏，也將直接重塑存儲芯片市場的競爭格局。隨着今年存儲芯片短缺狀況預計比去年更為嚴峻，能否在放寬後的規格下實現穩定交付，將成為三星、SK 海力士等供應商爭奪市場份額的關鍵。

三星雖獲認證優勢，但量產良率仍存隱憂

儘管三星電子在英偉達 HBM4 的資格測試中處於領跑地位，但這並不意味着供應問題已迎刃而解。市場關注的焦點已從單純的出貨速度轉向整體的供應能力。報道指出，如果英偉達嚴格執行 11.7Gbps 的規格標準，三星目前的產能恐難以滿足 Rubin 芯片大規模量產的需求。

制約因素主要來自良率和產能。截至本月，三星 1c DRAM 的良率估計在 60% 左右，若計入先進的後端封裝工藝，有效良率將進一步下降。此外，三星去年底的 1c DRAM 月產能約為 6 萬至 7 萬片晶圓，這一規模不足以覆蓋英偉達對 HBM4 的全部需求。雖然三星正在推進新投資和生產線轉換，但產能爬坡尚需時日，短期內難以大幅提升供應量。

SK 海力士面臨性能達標挑戰，硬件優化仍在進行

作為英偉達 HBM 供應體系中的另一核心玩家，SK 海力士同樣面臨技術阻力。據 ZDNet 報道，儘管 SK 海力士已獲得英偉達 HBM4 約 60% 的分配份額，但在早期的可靠性評估中，其產品在達到 11Gbps 級別的性能表現上遇到了困難。

報道稱，SK 海力士目前正致力於通過硬件改進來解決這些性能短板，但最終解決方案尚未得到確認。這一技術瓶頸進一步增加了英偉達單一依賴最高規格產品供應的風險，迫使其不得不重新評估對不同供應商的技術要求。

雙軌採購策略或成定局，確保存儲芯片供應穩定性

鑑於上述供應端的現實困境，英偉達極有可能採取靈活的採購策略。據 ZDNet 引述行業消息人士指出，英偉達不僅會採購 11.7Gbps 的頂級 HBM4，還可能並行採購 10.6Gbps 等略低規格的版本。

這一策略調整旨在降低供應商的技術壓力，使得三星、SK 海力士及美光三家主要廠商更有可能實現規模化供貨。報道進一步指出，在存儲芯片短缺日益加劇的大背景下，英偉達適度放寬 HBM4 性能標準被廣泛視為確保持續供應穩定性的必要舉措。這對確保下一代 AI 基礎設施按時交付至關重要。