SK Hynix collaborates with Sandisk to launch HBF standardization, with capacity crushing HBM by 10 times!

華爾街見聞
2026.02.26 07:40
portai
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SK 海力士與閃迪聯手推進高帶寬閃存(HBF)全球標準化,旨在填補 HBM 與 SSD 間的層級空白。HBF 通過堆疊 NAND 實現高帶寬與大容量平衡,專為 AI 推理優化。雙方在 OCP 框架下成立工作組,計劃 2027 年商業化,其市場規模有望在長期內超越 HBM,成為 AI 存儲架構的關鍵支撐。

SK 海力士與閃迪正式聯手推進高帶寬閃存(HBF)全球標準化,這一新型存儲技術被定位為 AI 推理時代填補 HBM 與 SSD 之間層級空白的關鍵解決方案,兩家公司的合作標誌着下一代存儲架構競爭進入實質性佈局階段。

2 月 25 日,兩家公司在位於加利福尼亞州米爾皮塔斯的閃迪總部舉辦"HBF 規格標準化聯盟啓動"活動,宣佈將在開放計算項目(OCP)框架下成立專屬工作組,正式推進 HBF 標準化工作。SK 海力士總裁兼首席開發官 Ahn Hyun 表示,HBF 技術標準化將幫助公司構建協作體系,"為客户與合作伙伴呈現 AI 時代優化的存儲架構,創造新價值"。

在商業化預期方面,被稱為"HBM 之父"的韓國科學技術院教授 Kim Joungho 近期表示,HBF 的落地節奏較此前預期明顯提前,三星電子與閃迪計劃於 2027 年底至 2028 年初將 HBF 集成至英偉達、AMD 及谷歌的產品中,長期來看其市場規模有望於 2038 年前後超越 HBM。

對市場而言,此次標準化啓動意味着能夠同時提供 HBM 與 HBF 的全棧存儲解決方案供應商戰略地位將持續提升。業界預計 HBF 相關存儲解決方案的需求將於 2030 年前後進入快速增長階段。

HBF 定位:填補 HBM 與 SSD 之間的存儲層級缺口

HBF 的核心價值在於構建一個介於超高速 HBM 與大容量 SSD 之間的全新存儲層級。在 AI 推理場景下,隨着 AI 服務用户規模快速擴張,現有存儲架構面臨高容量數據處理與功耗效率難以兼顧的結構性矛盾——HBM 帶寬卓越但容量有限,SSD 容量充裕但讀寫速度不足。

HBF 通過垂直堆疊 NAND 閃存,在維持高帶寬的同時提供約 10 倍於 HBM 的存儲容量,專為彌合這一差距而設計。在系統架構中,HBM 負責處理高級別帶寬需求,HBF 作為支撐層承接容量擴展任務,兩者協同覆蓋 AI 推理對海量數據處理與功耗效率的雙重要求。

SK 海力士指出,HBF 在提升 AI 系統可擴展性的同時,還有望降低總擁有成本(TCO)。在 AI 推理市場,系統層面 CPU、GPU 與存儲器的整體優化日益成為決定綜合競爭力的核心,單芯片性能的比拼正在讓位於全棧解決方案能力。

OCP 框架下的產業協同:標準化從雙邊走向多邊

SK 海力士與閃迪均具備 HBM 及 NAND 領域的設計、封裝與量產經驗,此次合作正是基於這一技術基礎向 HBF 標準化發力。據此前報道,三星電子與 SK 海力士均已與閃迪簽署諒解備忘錄,共同推動 HBF 標準化,目標是於 2027 年將產品推向市場。

OCP 作為全球最大的開放數據中心技術組織,為 HBF 標準化提供了業界廣泛認可的推進平台。此次專屬工作組的成立,意味着 HBF 標準化工作正從雙邊協議走向更大範圍的產業協同。

Ahn Hyun 表示,"AI 基礎設施的關鍵在於超越單項技術的性能競爭,實現整個生態系統的優化。"SK 海力士亦表示,通過 HBF 成為行業標準,將為整個 AI 生態系統的共同成長奠定基礎。

市場前景:2030 年前後需求提速,長期或超越 HBM

據華爾街見聞此前文章,從時間維度看,Kim Joungho 預計 HBF 將在 HBM6 推出階段實現廣泛應用,並於 2038 年左右在市場規模上超越 HBM。他同時指出,得益於 HBM 積累的工藝與設計經驗,HBF 的商業化週期將遠短於當年 HBM 的開發歷程,這是該技術商業化進程明顯提速的重要原因之一。

驅動 HBF 需求的根本邏輯在於 AI 工作負載的持續增長。當前,AI 行業正從專注於大語言模型構建的訓練階段,加速向面向終端用户的推理階段轉型。推理場景對快速、高效、大容量存儲的需求急劇攀升,而 HBF 憑藉 NAND 堆疊帶來的容量優勢,恰好契合這一應用場景的核心訴求。

在這一趨勢下,能夠同時提供 HBM 與 HBF 的全棧存儲解決方案廠商的戰略價值正在上升。率先在 OCP 框架下掌握標準化話語權的企業,有望在這一預計於 2030 年前後需求顯著提速的新興市場中佔據先機。