存储新纪元？HBF 商业化冲刺：闪迪拟下半年建试点线，明年量产

闪迪正显著加快高带宽闪存（HBF）的商业化进程。这一被业界视为 AI 推理时代关键存储层级的新技术，正吸引闪迪、SK 海力士与三星电子全面入局，标志着继 HBM 之后，存储行业下一轮结构性竞争已正式打响。

4 月 13 日，据韩国媒体 ETNews 援引 The Bell 报道，闪迪已开始与材料、零部件及设备合作伙伴接洽，着手搭建 HBF 原型产线生态，计划于今年下半年推出原型产品。该试产线预计于 2026 年下半年竣工并投入运营，商业化目标定于 2027 年。

报道援引知情人士称，随着样品生产加速推进，闪迪可能将此前规划的 HBF 开发时间表整体提前约半年，显示出抢占市场先机的强烈意图。

HBF 的推进对 AI 硬件产业链具有深远影响。该技术通过在 NAND 闪存中引入硅通孔（TSV）堆叠封装，可在维持高带宽的同时提供约 10 倍于 HBM 的存储容量，专为填补 HBM 与 SSD 之间的存储层级断层而设计。随着 AI 工作负载加速向推理阶段迁移，这一技术缺口的战略价值日益凸显。

设备与材料产业链：HBM 积累优势直接迁移

闪迪在 HBM 及 NAND 领域均具备设计、封装与量产经验，这为其向 HBF 领域发力奠定了技术基础。

据 ETNews 报道，由于 HBF 与 HBM 在工艺流程上高度相似，HBM 产线积累的设备、材料与零部件生态有望在 HBF 领域延续技术领先优势。

具体而言，用于实现堆叠 NAND 芯片间信号传输的 TSV 工艺设备、固晶用键合材料及相关设备，预计仍将由已在 HBM 市场建立强竞争力的企业主导。这一技术路径的延续性意味着，现有 HBM 设备供应商的潜在市场空间将随 HBF 的推进而直接扩大。

材料端亦出现新动向。韩国 Hanul Materials Science 旗下子公司 JK Materials 近日宣布，已完成用于 HBF 的高性能聚合物开发工作，并已向主要客户供货。报道指出，该公司的高性能 KrF 聚合物是实现数百层 NAND 闪存堆叠所需的关键化学材料。

三巨头竞争格局：标准话语权与专利布局同步展开

在竞争格局层面，SK 海力士与闪迪正通过 OCP 工作组推进标准化，试图在规范制定层面建立先发优势。此前业界预计，三星电子与闪迪计划于 2027 年底至 2028 年初将 HBF 集成至英伟达、AMD 及谷歌的产品中。

三星方面，据《朝鲜日报》报道，三星电子自 2020 年代初便已开展 HBF 研究，近期更密集收购一系列 HBF 相关专利，积极拓展技术储备。尽管尚未作出类似 SK 海力士的公开宣布，但其专利布局动作表明，三星正稳步推进 HBF 赛道布局。

被誉为 “HBM 之父” 的韩国科学技术院教授 Kim Joungho 近期表示，HBF 的落地节奏较此前预期明显提前。他预计，HBF 将在 HBM6 推出阶段实现广泛应用，并于 2038 年前后在市场规模上超越 HBM。同时他指出，得益于 HBM 积累的工艺与设计经验，HBF 的商业化周期将远短于当年 HBM 的开发历程。

HBF 的战略定位：填补 AI 推理时代的存储层级缺口

HBF 的核心价值在于构建一个介于超高速 HBM 与大容量 SSD 之间的全新存储层级。SK 海力士指出，在 AI 推理场景下，随着用户规模快速扩张，现有存储架构面临高容量数据处理与功耗效率难以兼顾的结构性矛盾——HBM 带宽卓越但容量有限，SSD 容量充裕但读写速度不足。

HBF 通过垂直堆叠 NAND 闪存，在维持高带宽的同时提供约 10 倍于 HBM 的存储容量，专为弥合这一技术缺口而设计。在系统架构中，HBM 负责处理高带宽需求，HBF 则作为支撑层承接容量扩展任务，两者协同覆盖 AI 推理对海量数据处理与功耗效率的双重要求。

SK 海力士总裁兼首席开发官 Ahn Hyun 表示：“AI 基础设施的关键在于超越单项技术的性能竞争，实现整个生态系统的优化。” SK 海力士同时指出，HBF 成为行业标准将为整个 AI 生态系统的共同成长奠定基础。