After a 70% Quarterly Surge in NAND Prices, SK Hynix Resumes Dalian Phase II Expansion, Accelerating Competition with Samsung's Xi'an Plant

據 TrendForce 報道，SK 海力士計劃於 2026 年下半年重啓此前擱置的大連工廠二期擴建項目，新增 V8（238 層）NAND 產線。該項目此前因 NAND 市場低迷和美國出口管制而暫停，重啓標誌着公司將 NAND 價格的歷史性復甦轉化為實際產能佈局。

根據 News Tomato 的報道，SK 海力士將在今年下半年開始向大連二期工廠安裝生產設備，分階段在 2027 年上半年完成設施建設。國內合作伙伴已開始將閒置 NAND 設備轉移至大連，海外供應商據稱已收到設備交付的初步採購訂單。

Sisa Journal 進一步披露了產能細節：大連二期將新增一條 V8 產線（238 層），月產能目標為 3 萬至 5 萬片晶圓。大連一期工廠則正在將產線深度轉換至 192 層 NAND，並更換老化設備。

擱置背後的轉折：從出口管制到年度審批

大連二期擴建此前陷入停滯，直接原因來自兩方面：一是美國對華半導體設備出口管制的不確定性，二是 NAND 市場的持續低迷。

在管制層面，一個關鍵變量已經發生變化。根據 News Tomato 的報道，美國已將原有的"經驗證最終用户"（VEU）制度調整為對設備運輸實行年度審批流程，設備供應的不確定性隨之緩解，為 SK 海力士重啓大連擴建提供了操作空間。

這一制度變化的時間節點值得關注。在這一背景下，市場正在觀察 SK 海力士能否藉助 DRAM 和 HBM 的繁榮，通過大連擴建進一步釋放其以 11 萬億韓元（約合 80 億美元）收購英特爾 NAND 業務的價值。報道指出，大連二期被視為 SK 海力士 NAND 生產基地中擴建速度最快的選址。

V8 產線落地的產業背景：NAND 價格創歷史峯值

擴建重啓的時機選擇並非偶然。2026 年一季度，SK 海力士 NAND 平均售價環比上漲超過 70%，創下單季歷史紀錄。公司二季度指引進一步明確，NAND 出貨量將"由跌轉升"、環比反彈。價格與出貨量的雙重改善，為重啓此前被擱置的資本支出計劃提供了決策基礎。

韓國時報的數據顯示，SK 海力士 2025 年對大連 NAND 製造子公司的投資已增至 4406 億韓元，同比增長 52%——即便在二期擴建尚未正式重啓之前，公司在 NAND 領域的投入已經開始加速。

在技術路線上，SK 海力士此前已完成 375 層 3D NAND 閃存的生產驗證，計劃在韓國清州 M15 工廠年底前量產。大連 V8（238 層）產線與之形成技術梯度，分別服務於不同的市場定位。

競爭升温：三星西安工廠同步提速

SK 海力士並非唯一在中國擴大 NAND 產能的存儲巨頭。Sisa Journal 的報道顯示，三星電子也在加速推進其西安工廠的 NAND 升級。三星已於 3 月 30 日完成從 128 層 V6 到 236 層 V8 的生產線轉換，目前正進入量產階段。

投資數據印證了這一趨勢。據 Sisa Journal 估算，三星 2025 年對西安 NAND 工廠的投資約為 3.04 億美元，同比增長約 67.5%。韓國兩大存儲巨頭在中國 NAND 產能上的同步擴張，意味着全球 NAND 供給端正從收縮週期進入擴張軌道。

從時間節點來看，三星西安 V8 量產已經啓動，而 SK 海力士大連二期 V8 設備安裝預計下半年才開始，兩者在實際產能釋放節奏上存在數個季度的時間差。