Wall Street Turns Universally Bullish: ASML Capacity Surges, Putting the Memory "Peak Theory" to Rest!

ASML 交出一份遠超預期的二季度成績單，並大幅上調全年指引，同時罕見地給出 2027 至 2028 年產能擴張路線圖，直接回應了市場對 AI 驅動需求能否持續的核心疑慮。華爾街主要投行隨即集體發聲，高盛、摩根大通、巴克萊等機構一致維持或重申買入評級，認為此次業績徹底驗證了 AI 供應瓶頸論，並對內存價格"2028 年見頂"的看空敍事構成有力反駁。

ASML 二季度營收 93 億歐元，超彭博市場共識 89 億歐元，毛利率 54% 大幅領先 51%-52% 的指引區間。公司隨即將 2026 年全年營收指引從 360 億至 400 億歐元上調至 430 億至 450 億歐元，中位數較市場共識高出約 11%；全年毛利率指引亦上調至 54%-56%。更關鍵的是，管理層明確表示將在 2027 年和 2028 年分別擴大約 30% 的低數值孔徑 EUV 及浸沒式 DUV 產能，這一表態直接觸發市場對 2028 年盈利預期的大幅上修。

消息公佈後，ASML 阿姆斯特丹股價上漲約 4%，納斯達克 100 指數期貨同步上漲約 40 個基點。SK Hynix 首爾上市股票單日飆升 8.8%，補漲此前其美國存託憑證 27% 的漲幅。高盛維持買入評級，12 個月目標價 2000 歐元，較當前股價隱含約 29% 上行空間；摩根大通同樣維持增持，目標價 1900 歐元。

業績全面超預期，三季度指引更令市場驚喜

ASML 二季度各項核心財務指標均超出市場預期。據高盛研報，二季度營收 93.27 億歐元，較市場共識高出 6%；息税前利潤 34.56 億歐元，超出共識 13%；每股收益 7.58 歐元，超出共識約 11%。毛利率 54% 不僅遠超指引上限，亦較市場共識高出約 230 個基點。

三季度指引同樣大幅超出預期。公司預計三季度營收 110 億至 120 億歐元，中位數較市場共識高約 11%；毛利率指引 55%-57%，意味着三季度息税前利潤將較市場共識高出約 26%。據摩根大通研報，三季度營收中位數 115 億歐元較共識高 12%，毛利率中位數 56% 較共識高 350 個基點。

摩根大通分析師 Sandeep Deshpande 指出，此次業績超預期部分由已安裝基礎管理（IBM）業務驅動，該業務收入較預期高出約 3 億歐元，軟件主導的生產力升級及 EUV 服務安裝基礎的持續擴大，預計將推動該業務今年實現逾 30% 的增長，為毛利率提供額外支撐。

產能擴張路線圖超出買方預期，2028 年盈利潛力大幅重估

此次業績最受市場關注的，是管理層對 2027 至 2028 年產能擴張的明確表態。ASML 表示，將在 2026 年約 65 台低數值孔徑 EUV 產能基礎上，於 2027 年擴產約 30% 至約 85 台，並正在研究 2028 年再擴產 30% 至約 110 台。與此同時，DUV 浸沒式產能亦將從 2026 年約 130 台擴至 2027 年約 169 台，2028 年進一步擴至約 220 台。

據高盛測算，上述產能規劃意味着 2027/2028 年低數值孔徑 EUV 出貨量將達 85/110 台，遠超市場共識的 85/89 台；浸沒式 DUV 出貨量將達 169/220 台，同樣大幅超出共識的 137/146 台。

摩根大通指出，2028 年產能指引已超出該行此前作為賣方最高預測的水平。據粗略測算，若上述產能規劃落地，ASML 2028 年每股收益將超過 65 歐元，疊加已安裝基礎管理業務的強勁勢頭，實際盈利或更高。高盛交易台評論亦指出，2028 年約 110 台的 EUV 產能目標已落入"超級樂觀區間"（110 至 120 台），遠超賣方約 89 台的共識預期。

高盛表示，ASML 已基本鎖定 2027 年所需的大部分 EUV 訂單，並已收到相當數量的 2028 年訂單，管理層將訂單接收情況描述為"極為強勁"。

AI 需求加速，邏輯與內存雙線擴張

管理層明確表示，AI 驅動的需求在邏輯芯片和內存兩大領域持續強化，支撐客户在先進製程節點進一步擴產。在先進邏輯領域，ASML 指出客户正同步在 5/4/3 納米節點增加產能以滿足 AI 需求，同時儘可能激進地推進 2 納米量產，並開始為 1.4 納米制程過渡做準備。公司預計 2026 年先進邏輯營收同比增長約 25%。

內存方面，ASML 表示 DDR 和 HBM 供應偏緊正推動客户加速投資，EUV 及先進浸沒式光刻強度的提升進一步拉動設備需求。公司預計 2026 年內存營收同比增長約 75%。

高盛交易台評論指出，隨着內存市場向 HBM4/HBM5 及傳統服務器 DRAM 所需的先進 1c/1d 納米節點過渡，內存製造正經歷根本性的範式轉變。1c DRAM 的 EUV 層數已增至五層以上，而 1d 和 0a 代計劃在所有層中全面採用 EUV 技術。深紫外光多次圖形化工藝已觸及物理極限，ASML 因此成為這一結構性轉型的主要受益者。

高盛進一步指出，HBM 所需的晶圓強度遠高於傳統 DRAM，這種雙重擴張正嚴重擠壓全球晶圓廠產能，推動內存價格在更長時間內保持高位。鑑於向先進節點過渡的結構性複雜性，那些預測內存價格將在 2028 年前見頂或供應缺口將顯著緩解的看空論點"聽起來為時過早"。

華爾街集體背書，分歧僅在於 2027 年指引是否足夠激進

多家主要投行在業績發佈後迅速發表正面評價，但對 2027 年 EUV 產能指引的解讀存在細微分歧。

巴克萊分析師 Simon Coles 表示，ASML 給出了投資者所期待的大部分內容，2027 和 2028 年低數值孔徑 EUV 產能指引應能減少市場對公司是否受供應約束的爭議，並指出上半年低數值孔徑 EUV 訂單金額可能高達 220 億歐元，達到歷史紀錄水平。

摩根大通的 Sandeep Deshpande 認為，儘管公司未能在 2027 年達到 90 台 EUV 產能，但"我們認為這無關緊要"，因為 2028 年 EUV 及 DUV 產能指引遠超預期，且 2026 年營收增速約 35% 已超出當前市場對晶圓廠設備行業整體增速的預期，公司實際上已在引導未來兩年約 30% 的增長。

摩根士丹利分析師 Lee Simpson 則指出，儘管公司不再披露訂單數據，但管理層表示上半年訂單接收持續"非常強勁"，客户正尋求加速產能擴張，這預示着 2027 年銷售勢頭強勁。

Jefferies 分析師 Janardan Menon 持相對審慎立場，認為公司展望評論喜憂參半，已安裝基礎管理業務銷售額及毛利率的強勁增長尤為積極，但 2027 年 EUV 指引低於近期大幅攀升的市場預期。

Oddo BHF 則預計市場共識盈利預測將上調約 20%，並表示"ASML 仍是無可匹敵的技術主導地位的故事，現在受益於 AI 驅動的根本不同的週期"。