
長鑫科技(688825.SH)上市引發競爭擔憂 美股存儲芯片板塊遭拋售 SK海力士(SKHY.US)跌破發行價
受長鑫科技上市引發競爭擔憂及 AI 基礎設施投資疑慮升温影響,全球存儲芯片板塊遭大幅拋售。SK 海力士 ADR 跌破發行價,美光等股同步走低。費城半導體指數創 5 月以來新低,反映市場撤離 AI 半導體板塊。儘管 SK 海力士宣佈與英偉達合作建設 AI 數據中心,但未能提振股價,投資者對 AI 產業鏈資本開支持續擴大及回報前景表示擔憂。
智通財經 APP 獲悉,在人工智能 (AI) 基礎設施投資擔憂升温及存儲芯片廠商長鑫存儲母公司長鑫科技 (688825.SH) 強勢上市等多重因素影響下,全球存儲芯片板塊週一遭遇大幅拋售。SK 海力士 (SKHY.US) 美國存託憑證上市不足一個月便跌破發行價,美光科技 (MU.US)、閃迪 (SNDK.US) 等存儲芯片股同步走低。
週一,SK 海力士 ADR 一度下跌 10%,最低觸及 139.01 美元,跌破 7 月 9 日 IPO 時 149 美元的發行價,最終收報 143.02 美元,較發行價低約 4%。此次 IPO 募資規模高達 265 億美元,創下今年全球最大 IPO 之一。
與此同時,費城半導體指數延續近期跌勢,收於 5 月 19 日以來最低水平,顯示市場持續撤離此前漲幅較大的 AI 半導體板塊。
分析人士認為,本輪調整主要受到 AI 基礎設施投資擔憂加劇影響。
此前有報道稱,英偉達 (NVDA.US) 正洽談總規模超過 7500 億美元的 AI 基礎設施項目,並計劃為 OpenAI 相關數據中心項目提供融資支持,引發市場對 AI 產業鏈資本開支持續擴大的擔憂。受此影響,英偉達信用違約掉期價格週一創下有記錄以來最大單日漲幅,投資者風險偏好明顯降温。
值得注意的是,就在股價大跌之際,SK 海力士宣佈將與英偉達合作,在韓國建設總規模超過 2 吉瓦 (GW) 的 AI 數據中心,相當於可滿足約 150 萬户家庭的用電需求。其中,由 SK Telecom 建設的首座 “AI 工廠”(AI Factory) 預計將於明年投入運營。
不過,這一利好消息未能提振股價,市場關注焦點仍集中於 AI 產業持續攀升的資本投入及未來回報前景。
另一方面,長鑫科技週一登陸上交所,進一步加劇市場對行業競爭的擔憂。該股上市首日股價大漲 466%,市值迅速升至約 4840 億美元。公司主營 DRAM 存儲芯片,與 SK 海力士、美光及三星電子構成直接競爭。
與此同時,另一家國內存儲芯片廠商長江存儲也預計將於今年晚些時候啓動 IPO,其主營 NAND Flash 閃存產品,將與美光、閃迪及 SK 海力士展開競爭。受市場情緒拖累,美光週一收跌 2.25%,閃迪跌幅則達到 11.02%。
