Samsung Reclaims Top Global DRAM Spot in Q2 2026 with 39% Market Share

華爾街見聞
2026.08.04 10:30

2026 年第二季度,三星電子以 39% 份額重奪 DRAM 市場第一,結束 SK 海力士此前領先局面;美光以 25% 緊隨 SK 海力士(26%),三強差距縮小。三星受益於通用 DRAM 漲價及 HBM 業務擴張;SK 海力士雖營收創新高,但受 HBM 均價下滑及早期 LTA 鎖價拖累,份額承壓。

AI 算力需求持續擴張,正在重塑全球 DRAM 市場競爭格局。經歷一年多的份額爭奪後,三星電子在 2026 年第二季度重新奪回 DRAM 市場第一的位置,而 SK 海力士和美光科技之間的競爭也進一步升温,全球存儲芯片三強格局正在經歷新一輪調整。

據市場研究機構 Counterpoint Research 最新發布的 2026 年第二季度全球內存追蹤報告,三星電子以 39% 的 DRAM 市場份額位居全球第一,結束了一年前被 SK 海力士超越的局面。同期,美光科技憑藉 DRAM 業務收入同比增長約五倍,以 25% 的市場份額緊追 SK 海力士的 26%,三大存儲廠商之間的差距進一步縮小。

三星此次反超主要得益於通用 DRAM 價格上漲以及 HBM(高帶寬內存)業務擴張。相比之下,SK 海力士雖然 DRAM 營收同比增長 214%,但市場份額卻從去年同期的 39% 降至 26%,反映出 HBM 均價下滑以及早期長期供貨協議(LTA)鎖價帶來的階段性壓力。

三星受益於 DRAM 漲價,HBM 業務同步擴張

Counterpoint 研究員崔正久(최정구)表示,三星此次反彈 “扭轉了此前所有頹勢”。公司不僅受益於通用 DRAM 需求回升和價格上漲,同時也在 HBM 領域持續擴大市場份額。

報告顯示,2026 年第二季度,通用 DRAM 價格較第一季度明顯上漲,為三星存儲業務提供了直接的營收支撐。與此同時,HBM 市場仍處於產品升級階段,現有 HBM3E 產品價格同比下降,加之 HBM4 量產出貨時間有所延後,導致整體 HBM 均價承壓。

不過,隨着 AI 服務器建設持續推進,高性能存儲需求仍在快速增長。Counterpoint 預計,第三季度 DRAM 價格仍有進一步上漲空間,三星存儲業務盈利表現有望繼續改善。

SK 海力士份額承壓,LTA 鎖價影響顯現

SK 海力士雖然依靠 HBM 業務保持高速增長,但市場份額卻出現明顯下滑。

Counterpoint 研究總監黃敏成(황민성)指出,SK 海力士二季度業績在同比和環比口徑下均創歷史新高,但由於三星和美光增長速度更快,公司在全球 DRAM 市場中的相對份額有所下降。

其中,HBM 業務結構是重要影響因素。由於 SK 海力士此前在 HBM 領域領先,其 HBM 出貨量和收入佔比均高於競爭對手,因此受到 HBM 價格下降的影響也更為明顯。

此外,SK 海力士較早與客户簽訂長期供貨協議(LTA)。由於 LTA 通常會設置價格上下限,在存儲價格快速上漲週期中,早期鎖定的合同價格可能低於當前市場價格,使公司階段性無法充分受益於漲價週期。

HBM4 放量,存儲競爭進入新階段

不過,隨着下一代 AI 芯片平台推進,HBM 市場格局仍可能發生變化。

英偉達 Vera Rubin 以及 AMD Instinct MI455X 等新一代 GPU 機架開始出貨後,HBM4 需求預計將從第三季度起逐步放量。隨着高端存儲產品佔比提升,HBM 價格壓力有望緩解,存儲廠商盈利結構也可能進一步改善。

對於三星、SK 海力士和美光而言,AI 服務器需求正在成為決定未來市場排名的關鍵變量。隨着 HBM4 競爭展開,DRAM 市場的競爭重點也將從傳統存儲週期,轉向先進存儲技術、客户綁定能力以及產能佈局的綜合較量。