$38 Billion! SK Hynix to Build Two New Memory Chip Plants, with Capacity to Expand Gradually Based on Customer Demand

AI 浪潮下，存储芯片龙头正进一步加码产能布局。SK 海力士宣布，将投资约 54.3 万亿韩元（约 382.82 亿美元），在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂，扩大 DRAM 和 NAND 生产基地，并根据客户需求逐步增加产能，以满足人工智能带动的 HBM 及先进存储需求增长。

8 月 7 日，据韩联社报道，公司董事会已批准向龙仁第二座晶圆厂（Y2）投资 35.2 万亿韩元、向清州 M17 工厂投资 19.1 万亿韩元。SK 海力士表示，在 AI 时代，能够在客户需要时及时提供所需产能，本身就是核心竞争力。

按照规划，两座工厂均将在 2031 年前完成投资，首个洁净室预计最早于 2028 年底至 2029 年陆续投产。这意味着 SK 海力士正提前锁定未来数年的先进存储产能，以巩固其在 HBM 及下一代 DRAM 市场的领先优势。

龙仁 Y2 聚焦 HBM 与下一代 DRAM

龙仁 Y2 是 SK 海力士龙仁半导体集群规划中的第二座晶圆厂，建筑面积约 34.1 万坪，预计明年 7 月开工，2029 年 6 月启用首个洁净室，主要生产 HBM 及其他下一代 DRAM 产品。

本次投资除生产设施外，还涵盖研发综合中心、员工配套设施及其他辅助建筑建设。与此同时，正在建设中的龙仁一期晶圆厂（Y1）进展顺利，首个洁净室预计将于明年 2 月投入使用。

值得关注的是，SK 海力士已将龙仁半导体集群四座晶圆厂的整体建设计划由原定 2045 年提前至 2033 年，目前支撑 Y2 运营的一期电力、供水等基础设施完工率已达 99%。

清州 M17 进一步完善 NAND 产能

另一项投资将投向清州 M17 工厂，总投资 19.1 万亿韩元，计划明年 2 月开工，2028 年 12 月开放首个洁净室。

清州一直是 SK 海力士 NAND 闪存生产基地，目前已布局 M11、M12、M15 等多座工厂。公司表示，新厂将充分利用当地现有土地、供电、供水等成熟配套及制造体系，加快建设进度，并通过生产协同进一步提升运营效率。

AI 需求驱动扩产，但产能投放仍保持节奏

尽管此次投资规模创下新高，SK 海力士并未选择一次性释放全部产能，而是继续采取"基础设施先行、设备按需投入"的策略。

公司计划先按时间表完成厂房及配套设施建设，洁净室扩建和生产设备投资则将根据客户需求和市场变化逐步推进，在确保供应能力的同时控制资本开支效率。

此次决策也是 SK 海力士今年 6 月公布中长期投资战略的进一步落地。根据规划，公司未来将向龙仁半导体集群累计投资约 600 万亿韩元，并向清州生产基地追加约 100 万亿韩元，以支撑 AI 时代持续增长的全球存储芯片需求。

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