據外媒報道,三星電子將於 6 月 30 日開始批量生產基於全環繞柵極技術的 3 納米半導體。報道稱,三星電子將於 6 月 30 日正式宣佈大規模生產基於 GAA 的 3 納米半導體。GAA 晶體管結構優於目前的 FinFET 結構,因為它可以減少芯片尺寸和功耗。