据外媒报道，三星电子将于 6 月 30 日开始批量生产基于全环绕栅极技术的 3 纳米半导体。报道称，三星电子将于 6 月 30 日正式宣布大规模生产基于 GAA 的 3 纳米半导体。GAA 晶体管结构优于目前的 FinFET 结构，因为它可以减少芯片尺寸和功耗。

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<p>据外媒报道，三星电子将于 6 月 30 日开始批量生产基于全环绕栅极技术的 3 纳米半导体。报道称，三星电子将于 6 月 30 日正式宣布大规模生产基于 GAA 的 3 纳米半导体。GAA 晶体管结构优于目前的 FinFET 结构，因为它可以减少芯片尺寸和功耗。</p>

消息称三星电子将于 6 月 30 日开始量产 3 纳米芯片