SK 海力士官宣 238 層 NAND 閃存芯片出世 擬於 2023 年上半年量產

智通財經 APP 獲悉，世界第二大存儲芯片製造商韓國 SK 海力士週三表示，已開發出其最先進的 NAND 閃存芯片，該芯片由 238 層存儲單元組成，將用於個人電腦存儲設備，以及智能手機和服務器。SK 海力士稱新的 238 層芯片是最小的 NAND 閃存芯片，數據傳輸速度相比上代產品提升 50%，讀取數據消耗的能量降低 21%。此外，該公司準備於 2023 年上半年開始大規模生產新芯片。

據瞭解，英特爾 (INTC.US) NAND 業務被 SK 海力士收購後更名為 Solidigm，它與 SK 海力士合計佔有全球 NAND 閃存市場的 18%，僅次於三星的 35.3% 和 Kioxia 的 18.9%。值得一提的是，此前美國競爭對手美光科技 (MU.US) 在上週宣佈，已開始出貨一款 232 層的 NAND 閃存芯片。