反超台积电?三星将为英伟达、高通等客户量产 3 纳米芯片
三星在 3 纳米技术上并非 “一帆风顺”。自量产以来,良率不超过 20% 导致进度陷入瓶颈。一旦三星深陷良率问题,劲敌台积电有望在 3 纳米上形成垄断地位。
在最为先进的 3 纳米制程工艺上,三星和台积电从来都是你追我赶,互不相让,力求超越对方率先生产出晶体管密度更高、数据速度更快、功耗更低的芯片。前有三星最先宣布实现 3 纳米芯片量产,后有媒体报道称苹果明年将在 iPhone 和 Mac 上使用台积电的下一代 3 纳米芯片。
如今,三星又往前跨越了一步,宣布将为英伟达、高通、IBM 和百度等客户量产 3 纳米芯片。
本周二媒体援引知情人士透露,三星正在与 5-6 家无晶圆厂供应商客户联合开发先进芯片,最早将从 2024 年开始大量供应。
该知情人士表示,这些客户主要考虑到三星先进的 3 纳米制程工艺,以及需确保多家供应商,因此选择了三星。
据悉三星将利用 3 纳米技术为英伟达生产图形处理器(GPU),为 IBM 生产中央处理器(CPU),为高通生产智能手机应用处理器,为百度生产云数据中心使用的人工智能芯片。
有市场观察人士认为,三星希望利用其 3 纳米技术,在代工芯片业务上超于劲敌台积电。目前在代工业务方面,三星的市场占比远远落后于台积电,后者占据着全球市场 50% 以上的份额。
三星表示,与早期的 5 纳米技术相比,3 纳米技术的功率效率和芯片性能分别提高了 45% 和 23%。三星电子还宣称,计划到 2025 年实现更先进的 2 纳米制程工艺商用化,到 2030 年成为代工市场的领头羊。
然而三星在最新技术上也并非 “一帆风顺”。
三星 3 纳米制程自量产以来,良率不超过 20%,量产进度陷入瓶颈。一旦三星继续深陷良率问题,那么劲敌台积电或将在 3 纳米上形成垄断地位,后者同样在本季度实现 3 纳米芯片量产。
而且即便已经保持相当明显的领先优势,台积电丝毫没有放慢脚步。台积电总裁魏哲家已经在今年 8 月承诺,2 纳米可以保证在 2025 年量产。
但值得一提的是,近期三星与美国公司 Silicon Frontline Technology 扩大合作,致力于提高其半导体晶片生产良率,所以台积电也需直面同行强大的竞争压力。