賽道 Hyper | 三星逆勢增資：拿下蘋果中國閃存供應

在業界頻傳 NAND 閃存價格迅猛下滑之際，作為市佔率近 34% 的全球最大閃存供應商三星電子，卻仍在逆勢增加投資，並官宣其閃存產品將漲價 10%。目前，這一漲價幅度，已為中國部分廠商接受。

1 月 12 日，華爾街見聞獲悉，三星電子在西安的一個三期 NAND 閃存項目，進入了蘋果智能手機 NAND 閃存供應鏈。此前，三星電子已是蘋果公司最大的 DRAM 芯片供應商。

但是，提價 10% 很可能並非三星電子的主要訴求。從各種跡象看，三星將於年內開啓其閃存大幅降價的大幕。從逆勢增資擴產，到大幅降價，箇中原因，不問可知。

逆勢增資：三星心路人知

受低迷的存儲芯片市場影響，三星電子利潤受到打擊，但三星電子半導體投資擴產卻沒有停滯。

全球存儲器市場結構怎樣？

據英國市場追蹤機構 Omdia 統計數據顯示，截至 2021 年，三星在 DRAM 市場份額為 42.7%，其次是 SK 海力士的 28.6% 和美光的 22.8%；NAND 閃存方面，截至 2022 年 Q2，三星電子擁有 33.9% 的市場份額，位列全球第一；通過收購 Intel NAND Flash 閃存業務，SK 海力士組建了新公司 Solidigm，市場份額升至 19.9％，緊隨三星電子之後排名第二。

值得一提的是，三星電子在 NADA 閃存市場獲得全球第一的市場地位，源自在 2006-2009 年一系列 NADA 閃存詭譎風雲中三星的逆勢增資擴張。

這是一次極為成功的逆勢 “加倉” 之後的驚人逆襲。三星電子在行業低迷期擴大投資規模，最終擊敗當時市場份額領先於三星電子的對手，比如德國奇夢達、日本 “國家隊” 爾必達和東芝。

這次成功經驗，充分解釋了三星電子再次遇到行業低迷期，為何仍敢於逆勢增資擴產的信心迷局。

2022 年，半導體行業進入下行週期，存儲市場佔據半導體約 30% 的比例，故受到較大行業下行影響：包括三星電子、美光和 SK 海力士在內的多家存儲廠商均出現虧損。

因此，行業風格保守，一眾巨頭也開始收縮業務。比如美光計劃將 2023 財年投資額，從 2022 財年的 120 億美元，下調至 70 億-75 億美元；同時，還將大幅減少 2024 財年的資本支出；SK 海力士也在 2022 年 10 月宣佈，2023 年的設備投資預算幅度，將比 2022 年減少超過 50%。

但是三星例外，其投資風格極為激進，這與美光和 SK 海力士因市場低迷而收縮業務規模的做法，顯得格外與眾不同。

公開消息顯示，三星電子已決定，在 2023 年提升其存儲器和晶圓廠 10% 的產能。這些產能也有部分來自中國的三星新投資項目。

1 月 12 日，華爾街見聞從供應鏈瞭解到，三星西安三期項目 12 寸（300mm）晶圓廠將於 2 月中旬開工。這個項目原本定於 2022 年 12 月啓動，但受內外多種因素影響，故而有所延期。

三星電子西安三期項目總投資高達 3000 億元人民幣。目前，這個工廠的定位是三星電子 NAND 閃存半導體的生產基地，與前兩期項目的產能合併後，將佔據三星電子 NAND 全球總產能的 40%。前兩期項目已達產，每月生產 12 英寸晶圓量達 25 萬張，年營收高達 1000 億元人民幣。

與台積電或英特爾均已做出的減產計劃相比，三星電子同樣屬於逆勢 “加倉”。此舉説明三星電子野心極大，既想稱霸存儲器市場，也想在晶圓代工領域反超台積電。

除了中國項目，三星電子將對在韓國京畿道平澤市第一工廠（P1）的 NAND 閃存設備做升級。

P1 的 NAND 線預計將改造為 V8（238 層）NAND 量產線，可加工約 3 萬張晶圓。此前，有消息稱，三星電子可能會在 2023 年下半年，投資已完成外裝工程的平澤 4 號廠房（P4）一期工程新的 NAND 生產線。

據中國台灣市場研究公司 Trend Force 的統計數據，截至 2022 年底，三星電子 NAND 晶圓月產量約為 64.5 萬張。就半導體投資而言，三星電子決定在所有領域都保持 2021 年的水平。

另據英國市場研究公司 Omdia 的數據顯示，NAND 市場價值約為 665 億美元。鑑於此等規模的市場前景，三星或許想通過增加 NAND 產能，以擠壓或吞併規模較小的行業企業。目前，在 NAND 領域，仍有 6-7 家企業在爭奪全球範圍內的市場份額。

手段：提價、擴產、降價

1 月 6 日，這家韓國市值最高的公司對外表示，2022 年 10 月-12 月季度營業利潤可能同比下降 69%，低於市場預期的 38% 降幅，創下 2008 年同季度以來的最大降幅紀錄。

與 2022 年三季度相比，用於智能手機和其他設備的 NAND 閃存基準在 2022 年四季度期間，跌幅達到 14%。

可以説，三星電子面臨行業低迷和公司業績下滑的雙重壓力，卻仍在逆勢增資擴產。這家公司表示，將繼續從中長期的角度為市場復甦做準備。

由上文可知，三星對逆勢投資有過成功經驗。多年來，三星常常在行業不景氣時期做鉅額投資，以在下一個繁榮時期擊敗競爭對手，從而引領全球內存市場。

俗話説，手中有糧，心中才能不慌。

三星敢於逆勢大舉增資，底氣來自其擁有的規模龐大的現金儲備。截至 2022 年 9 月底，三星持有約 128.8 萬億韓元（約合 1010 億美元）現金，約是其競爭對手 SK 海力士或美光的 10 倍。

韓國政府也很給力。韓國在 2023 年 1 月 3 日宣佈，計劃將半導體和電池等戰略技術資本支出的税收減免，從 8% 擴大到 15%，接近翻倍。

除了想靠技術實力、產能規模壓制對手，複製 2006-2009 年的那次成功逆襲，還有個重要原因，即三星電子已成功進入蘋果 NAND 閃存供應鏈。此事得益於中國本土一家 NAND 閃存巨頭遇到的眾所周知的技術限制。

這家中國公司在遭遇技術約束後，三星電子成為了蘋果公司在中國的 NAND 存儲芯片替代供應商。華爾街見聞獲悉，三星電子位於西安的 NAND 閃存工廠將為蘋果供應 NAND 閃存。目前，這個工廠的三期工程將於 2 月動工。

值得一提的是，不久前，三星電子官宣其閃存產品將提價 10%，而部分中國公司已接受這一報價。

但是，據公開報道顯示，三星電子可能會於 2023 年開啓包括 NAND 閃存在內的大幅降價，以進一步提高在全球存儲芯片市場的份額。

對 NAND 技術、產能和價格三者之間關係的理解，也能從另一個角度解釋三星電子為何逆勢增資的意圖。

在 NAND 領域，NAND 製造商做的激烈技術角逐，集中在增加垂直層數方面。SK 海力士和美光都已推出 200 多層的 NAND 技術，但三星認為，“重要的不是層數，而是產能以及專注於提供具有價格競爭力的更優解決方案”。

説是這麼説，但三星並沒有放鬆 NAND 的技術迭代，其技術水平也極為高超。

目前，三星電子生產的第八代 V-NAND 高達 230 層；第 9 代 V-NAND 也已在研發過程中，預計 2024 年量產。2030 年，三星將推出高達 1000 層的 V-NAND 產品。

鑑於 DRAM 的對於消費電子級的重要性，三星也在重兵佈局這個方向。

為推進 10nm 範圍以外的微縮，三星電子正在開發圖案、材料和架構方面做持續突破。

2022 年底，三星官方透露，其即將推出的 DRAM 解決方案包括 32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM 和 36Gbps GDDR7 DRAM。三星還談到了 HBM-PIM、AXDIMM 和 CXL 等定製 DRAM 解決方案。此外，三星計劃到 2030 年實現亞納米 DRAM。