黄仁勋：台积电预计 6 月将英伟达 AI 加速技术导入 2 纳米试产

3 月 21 日，在英伟达 GTC 大会上，英伟达 CEO 黄仁勋表示，经与台积电、ASML 及新思科技四方的合作，经历四年开发，英伟达完成全新的 AI 加速技术——cuLitho。台积电将于今年 6 月，把这套 AI 系统导入 2 纳米试产，用于提升 2 纳米制程良率，并缩短量产时程。

媒体称，英伟达发布的突破性的光刻计算库 cuLitho，是向芯片制造业甩出一枚技术 “核弹”——将计算光刻加速40倍以上，使得2nm及更先进芯片的生产成为可能。

光刻是芯片制造过程中最复杂、最昂贵、最关键的环节，其成本约占整个硅片加工成本的三分之一。因此，计算光刻是提高光刻分辨率、推动芯片制造达到 2nm 及更先进节点的关键手段。黄仁勋解释称：

计算光刻是芯片设计和制造领域中最大的计算工作负载，每年消耗数百亿 CPU 小时。

大型数据中心全天候运行，以便创建用于光刻系统的掩膜板。这些数据中心是芯片制造商每年投资近 2000 亿美元的资本支出的一部分。

黄仁勋表示，英伟达 H100 GPU 需要 89 块掩膜板，在 CPU 上运行时，处理单个掩膜板需要两周时间，而在 GPU 上运行 cuLitho 只需 8 小时，计算光刻的速度提高到原来的 40 倍。

分析指出，台积电可通过在 500 个 DGX H100 系统上使用 cuLitho 加速，将功率从 35MW 降至 5MW，替代此前用于计算光刻的 40000 台 CPU 服务器。同时，使用 cuLitho 后，所需能耗仅为当前配置电力的九分之一，且所需系统架设体积也仅为当前的八分之一。

台积电 CEO 魏哲家称，cuLitho 为台积电在芯片制造中广泛地部署光刻解决方案开辟了新的可能性，为半导体规模化做出重要贡献。

魏哲家曾在今年 1 月的财报后电话会上表示，台积电将在 2025 年量产 2nm 芯片。

分析认为，cuLitho 将有助于台积电缩短原型周期时间、提高产量、减少碳排放，为 2nm 及更先进的工艺奠定基础，并使得曲线掩模、high NA EUV、亚原子级光刻胶模型等新技术节点所需的新型解决方案和创新技术成为可能。