黃仁勳：台積電預計 6 月將英偉達 AI 加速技術導入 2 納米試產

3 月 21 日，在英偉達 GTC 大會上，英偉達 CEO 黃仁勳表示，經與台積電、ASML 及新思科技四方的合作，經歷四年開發，英偉達完成全新的 AI 加速技術——cuLitho。台積電將於今年 6 月，把這套 AI 系統導入 2 納米試產，用於提升 2 納米制程良率，並縮短量產時程。

媒體稱，英偉達發佈的突破性的光刻計算庫 cuLitho，是向芯片製造業甩出一枚技術 “核彈”——將計算光刻加速40倍以上，使得2nm及更先進芯片的生產成為可能。

光刻是芯片製造過程中最複雜、最昂貴、最關鍵的環節，其成本約佔整個硅片加工成本的三分之一。因此，計算光刻是提高光刻分辨率、推動芯片製造達到 2nm 及更先進節點的關鍵手段。黃仁勳解釋稱：

計算光刻是芯片設計和製造領域中最大的計算工作負載，每年消耗數百億 CPU 小時。

大型數據中心全天候運行，以便創建用於光刻系統的掩膜板。這些數據中心是芯片製造商每年投資近 2000 億美元的資本支出的一部分。

黃仁勳表示，英偉達 H100 GPU 需要 89 塊掩膜板，在 CPU 上運行時，處理單個掩膜板需要兩週時間，而在 GPU 上運行 cuLitho 只需 8 小時，計算光刻的速度提高到原來的 40 倍。

分析指出，台積電可通過在 500 個 DGX H100 系統上使用 cuLitho 加速，將功率從 35MW 降至 5MW，替代此前用於計算光刻的 40000 台 CPU 服務器。同時，使用 cuLitho 後，所需能耗僅為當前配置電力的九分之一，且所需系統架設體積也僅為當前的八分之一。

台積電 CEO 魏哲家稱，cuLitho 為台積電在芯片製造中廣泛地部署光刻解決方案開闢了新的可能性，為半導體規模化做出重要貢獻。

魏哲家曾在今年 1 月的財報後電話會上表示，台積電將在 2025 年量產 2nm 芯片。

分析認為，cuLitho 將有助於台積電縮短原型週期時間、提高產量、減少碳排放，為 2nm 及更先進的工藝奠定基礎，並使得曲線掩模、high NA EUV、亞原子級光刻膠模型等新技術節點所需的新型解決方案和創新技術成為可能。