除了英伟达，海外存储巨头也在暴涨

5 月 26 日，AI&半导体板块回暖拉升，芯片方向中存储芯片表现突出。

值得一提的是，全球存储龙头 SK 海力士股价也连续大涨，近 10 个交易日股价累计涨逾 23%，这一轮从 1 月 3 日的相对底部以来，反弹幅度已经达到 43.25%，创下近一年新高。

韩国媒体报道称，三星二季度 DRAM 出货量估环比增长 15% 至 20%，扭转首季环比下滑 10% 左右的颓势。SK 海力士本季出货量环比增长 30% 至 50%，远高于市场共识的 20%，反映 DRAM 厂积极减产降库存策略开始奏效，并将扭转市况从供过于求的趋势。

从行业基本面来看，国金证券指出，当前存储芯片行业正走在 2021 年下半年以来的下行周期，存储价格有望逐渐接近底部，看 2023 年二三季度存储板块迎来止跌。

天风证券也表示，从原厂/渠道市场价格、供需结构、厂商业绩、市场空间、地缘政治五个维度分析，存储行业近期利好频传拐点或已现，复苏号角已在耳畔。

AI 拉动存储需求爆发

据 TrendForce 相关数据，服务器和智能手机是 DRAM 主要的两大应用领域，2022 年智能手机和服务器占比分别为 38.5%/34.9% 合计比例为 73.4%，受益于人工智能 AI 和高性能计算 HPC 相关新兴领域的应用，华金证券预计 2023 年服务器将超越智能手机成为 DRAM 第一大应用领域。

据此前美光在 2023 财年第二财季电话会议上的内容，一台人工智能服务器 DRAM 使用量是普通服务器的 8 倍，NAND 是普通服务器的 3 倍。

那 AI 具体能拉动多大的存储芯片需求呢？

东吴证券研报对此作了测算，ChatGPT 短期/远期拉动算力增量分别为 8.652E+21/5.047E+23 TFLOPS。进一步地，以 NVIDIA A100 产品为基准，假设 GPU 算力为 19.5TFLOPS/s，单个 GPU 堆叠 8 个 DRAM 芯片，则短期/远期拉动 DRAM 需求增量分别为 117384/6847104 个。

三星证券也指出，用于 AI 服务器的 128GB DDR5 价格，比 64GB DDR4 高出十倍，而且订单持续增加，HBM 的需求也热络。

存储板块多重复苏信号明显，周期拐点或已来临

据国金证券研报，存储器为全球半导体第二细分市场，历史周期走势与全球半导体走势一致，但波动性大于整个半导体行业。

国金证券指出，当前存储芯片行业正走在 2021 年下半年以来的下行周期，本轮下行周期中，存储器销售增速在 2021 年年中见顶，2022 年增速转负。其认为存储价格有望逐渐接近下行周期底部，看 2023 年二三季度存储板块迎来止跌。

天风证券也表示，从 1）原厂/渠道市场价格、2）供需结构、3）厂商业绩、4）市场空间、5）地缘政治五个维度分析，存储行业近期利好频传拐点或已现，复苏号角已在耳畔。具体来看

1）价格端：海内外原厂 23 年 5 月起先后涨价 3%-5%，渠道端多积极信号。

国内原厂，长江存储宣布将针对企业级客户调升 NAND 价格 3%-5%。海外原厂方面，在长存宣布涨价后，5 月 19 日传韩国三星电子、SK 海力士也将跟进涨价，韩国半导体厂商存储产品的价格涨幅同样在 3%~5%，天风证券称市场价格复苏有望快于预期。

2）供给需求端：海外大厂陆续减产/削减资本开支，供需格局改善迹象加速显现。

供给端，各原厂相继减产/削减资本开支，供需格局有望持续改善。2023 年 4 月三星宣布减产规划。早前 2022 四季度各原厂大幅削减资本开支，如果按正常生产周期 3-4 个月来看，供给有明显收缩减产效果将在二季度三季度加速显现。

此外，铠侠与西部数据加快合并谈判释放周期见底信号，合并后将控制全球三分之一的 NAND 闪存市场、与全球最大的存储芯片制造商三星相抗衡（计划中，有不确定性）。合并后竞争格局或将推动存储行业价格进一步触底、复苏拐点更快来临。

库存端，各原厂 2023 一季度库存均已达到三年来高位，美光库存率先大幅度环比下滑，美光预计未来几个月的供需平衡状况将逐步改善。

需求端，回暖信号明显，中芯国际23 一季度业绩说明会表示，嵌入式非挥发性存储器和专用存储器 NOR Flash、NAND Flash 已看到回暖迹象，相关收入环比增长超过两成。

3）业绩端。中国台湾地区存储原厂方面，年初至今业绩环比复苏趋势明显，开始逐月反弹，以旺宏、南亚科为例，其 2023 年 3、4 月业绩分别环比上升 36.49%/6.55% 和 5.95%/5.26%。美系原厂方面，2023 一季度美光、西部数据营收同比增速继续下跌但势头趋缓，减产计划下预期下半年将迎来业绩修复。

4）空间端：短期来看 2023 二季度起规模或将逐季增长，长期来看 AI 催化下存储需求数倍提升。

短期来看，市场端一季度或将为 2023 年最低点，闪存市场预测 2023 二季度起规模或将逐季增长。长期来看，美光预计 Al 服务器可以拥有常规服务器八倍的 DRAM 容量和三倍的 NAND 容量。其表示随着 AI 应用需求提升，存储行业市场规模有望加速成长。

5）地缘政治端：海外大厂逐步退出利基市场，美光事件发酵。

天风证券认为，全球存储器市场呈现寡头垄断的竞争格局，美光未通过网络安全审查事件或驱动海外原厂加快淡出利基市场。

HBM细分关注度高

存储细分中，这一波 AI 浪潮里 HBM 关注度较高，我们来重点说一说。

据方正证券研报，HBM（高带宽内存）是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片，将很多个 DDR 芯片堆叠在一起后和 GPU 封装在一起，实现大容量，高位宽的 DDR 组合阵列。

HBM 通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟。

HBM 重新调整了内存的功耗效率，能大幅提高数据处理速度，是当下速度最快的 DRAM 产品，其每瓦带宽比 GDDR5 高出 3 倍还多，且 HBM 比 GDDR5 节省了 94% 的表面积。高带宽、高延迟特性，决定了 HBM 非常适用于高端 GPU 显存。服务器上，有 HBM+DDR 搭配使用的方案，HBM 负责高带宽小容量，DDR 负责稍低带宽大容量。

研究机构 TrendForce 表示，随着应用对 AI 的依赖度增加，需要 HBM 的加入来支持硬件，HBM 有助于突破 AI 发展中受限的硬件频宽瓶颈，以与 AI 最相关的 FPGA 和 ASIC 来看，FPGA 产品有英特尔的 Stratix 以及赛灵思的 Versal 导入 HBM；而 ASIC 方面，谷歌的 TPU、腾讯的邃思、百度的昆仑皆使用 HBM。

国金证券认为，随着全球 AI 服务器出货占比的提升，对 HBM 内存需求同比增长有明显的拉动作用，占比逐年提升可期。

市场格局方面，据 TrendForce 集邦咨询研究显示，2022 年三大原厂 HBM 市占率分别为 SK 海力士（SK hynix）50%、三星（Samsung）约 40%、美光（Micron）约 10%，2023-2025 年 HBM 市场 CAGR 有望成长至 40-45% 以上，至 2025 年市场规模有望快速增至 25 亿美元。